SanDisk продвинулась в разработке экспериментальной 3D Matrix Memory — новой архитектуры памяти, которая в перспективе должна занять место между традиционной DRAM и более медленной NAND-памятью.

На Investor Day 2026 технический директор SanDisk Alper Ilkbahar сообщил, что компания уже изготовила первые прототипы на стандартных 300-мм кремниевых пластинах, упаковала тестовые чипы и продемонстрировала работающие массивы объёмом в несколько гигабит. По словам SanDisk, их производительность уже приближается к целевым характеристикам будущего продукта.

Главная идея технологии — уйти от традиционной плоской архитектуры DRAM.

В современной оперативной памяти ячейки в основном масштабируются в плоскости кристалла. Но уменьшать их становится всё сложнее и дороже: техпроцессы приближаются к физическим и экономическим ограничениям.

3D Matrix Memory предлагает строить память вертикально, располагая несколько активных слоёв друг над другом.

SanDisk изначально поставила очень амбициозную цель: получить DRAM-подобную производительность, до четырёх раз большую ёмкость и примерно 50% стоимости бита по сравнению с DRAM. Причём компания ожидает, что ценовое преимущество будет увеличиваться по мере развития технологии.

Почему это особенно важно сейчас?

Рост искусственного интеллекта резко увеличивает спрос на память. Огромным моделям нужны всё большие объёмы RAM рядом с процессорами, а стоимость современных DRAM и HBM становится одной из ключевых проблем вычислительной инфраструктуры.

3D Matrix Memory может предложить другой путь: вместо бесконечного уменьшения каждой отдельной ячейки увеличивать объём за счёт вертикального масштабирования.

Но сделать это намного сложнее, чем просто сложить несколько обычных DRAM-кристаллов.

При изготовлении каждого дополнительного слоя приходится учитывать температуру процесса, совместимость материалов и риск повреждения уже созданных структур. Именно поэтому SanDisk разрабатывает для 3D Matrix Memory новые типы ячеек и новые производственные процессы.

Проект развивается ещё с 2017 года, а примерно с 2023-го компания начала переводить его из чисто исследовательской стадии в направление, ориентированное на будущую продуктовую реализацию. Разработка ведётся совместно с исследовательским центром imec.

SanDisk также рассматривает подключение такой памяти через стандартные интерфейсы вроде CXL, что особенно интересно для серверов, ИИ-систем и больших пулов памяти в дата-центрах.

Но ждать такую память в обычных ПК в ближайшее время не стоит.

Даже сама SanDisk называет 3D Matrix Memory долгосрочным проектом. Компания пока находится на стадии технологической квалификации и тестирования первых многогигабитных массивов.

Тем не менее важный рубеж уже пройден: технология вышла с маленьких лабораторных образцов на стандартные 300-мм пластины, а работающие прототипы постепенно приближаются к характеристикам будущего продукта.

Если заявленные цели удастся реализовать, следующий большой скачок оперативной памяти может произойти не благодаря очередной DDR, а благодаря переходу из двух измерений в три.