Японский учёный предложил удешевить EUV-литографию в 3–4 раза
Японский учёный из Окинавского института науки и технологий, профессор Цумору Синтакэ, предложил радикально упростить оптическую схему EUV-литографии — технологии, без которой сегодня невозможно производство самых передовых микросхем.
Главная идея — новая high-NA EUV-система с линейной геометрией. В такой схеме фотомаска, проекционная оптика и кремниевая пластина располагаются на одной оси. Это отличается от современных промышленных EUV-сканеров, где используется сложная внеосевая оптическая архитектура.
По расчётам автора, такой подход может помочь печатать элементы размером 2–3 нм и потенциально снизить стоимость оборудования в 3–4 раза. А это особенно важно, потому что современные EUV-сканеры оцениваются в сотни миллионов евро за одну машину.
Одна из ключевых проблем EUV-литографии — так называемые 3D-эффекты маски. Они возникают из-за того, что зеркальная EUV-маска имеет трёхмерную структуру, а свет падает на неё под углом. Это создаёт искажения, которые особенно мешают при переходе к более высоким разрешениям и high-NA-оптике.
Профессор Синтакэ предложил систему из двух оптических компонентов, каждый из которых включает пару вогнутого и выпуклого зеркал. По результатам моделирования, многократные отражения между зеркалами могут частично компенсировать искажения и при этом сохранить высокую числовую апертуру.
Но до промышленного применения ещё далеко. Расчёты пока предполагают почти идеальные зеркала, тогда как реальная EUV-оптика теряет энергию при каждом отражении и требует сверхточной обработки поверхности. Следующим этапом должна стать сборка физического прототипа.
Если технология подтвердится в эксперименте, она может удешевить производство передовых процессоров, памяти и ИИ-ускорителей, снизить количество технологических операций и сделать выпуск высокоплотных микросхем доступнее для всей индустрии.
