09_RAM (Inktober2026)
— Да брось, это не я! 😅
— Да брось, это не я! 😅
слово Ram из этого инктобера у меня в первую очередь ассоциируется с таранами и другими осадными орудиями, но еще я вспомнил про толчки (как в worms) и сбивания с ног, когда тараном становятся сами игроки... И такое вот получилось.
Для обезвреживания противников в играх применяют толчки и подсечки
Dungeons & Dragons 5-го издания предлагает механики опрокидывания и толкания, после которых противники могут упасть плашмя.
Состояние (Ничком, Плашмя, Prone) означает, что персонаж лежит на земле. Единственный способ передвижения в этом положении – ползание, при котором каждый фут перемещения стоит два фута, а чтобы встать на ноги, нужно потратить ровно половину своей скорости.
Лежачий атакует с помехой, атаки по нему идут с преимуществом, (если атакующий находится в пределах 5 футов) и с помехой (если дальше)




Ещё в D&D 5e есть осадные орудия (баллисты, мангонели, требучеты, тараны и осадные башни)
Они имеют собственный Класс Защиты, запас Очков Здоровья и логичные иммунитеты – например, их нельзя отравить или испугать психическим уроном.
В редакции 3.5e и более старых версиях (AD&D) осада замков была отдельной мини-игрой, напоминающей сложный варгейм. Существовали правила по направлению ветра, прочности конкретных материалов, а при промахе Мастер кидал специальный кубик разброса, чтобы определить, куда именно улетел шальной валун.
Небезопасный контент (18+)
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь для просмотра
Creator: れむにあ@FANBOX公開中
Китайский производитель памяти CXMT — ChangXin Memory Technologies рассматривает строительство второго предприятия по выпуску DRAM в Пекине. Новый завод планируется разместить в районе Ичжуан, примерно в 20 километрах от центра города, где у компании уже работает производство оперативной памяти.
Переговоры пока находятся на ранней стадии. По данным Reuters, CXMT запрашивает не менее 60 млн юаней — около $8,9 млн — государственной поддержки, однако окончательная стоимость предприятия и его производственная мощность пока не определены. Современный завод передовой DRAM может потребовать инвестиций свыше $10 млрд.
И это только часть огромного расширения CXMT.
Сейчас компания располагает тремя крупными предприятиями по производству DRAM — двумя в Хэфэе и одним в Пекине — с совокупной мощностью примерно 300 000 пластин в месяц. Параллельно строятся новые мощности в Шанхае и Хэфэе. После их полноценного запуска общий объём производства CXMT способен превысить 600 000 пластин ежемесячно.
Рост происходит очень быстро. По данным Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года CXMT получила уже около 8% мирового рынка DRAM по выручке, тогда как годом ранее её доля составляла всего 3%. Samsung занимала 38%, SK hynix — 29%, Micron — 22%. Таким образом, три крупнейших производителя вместе контролировали около 89% рынка.
Но именно CXMT сейчас является одним из самых быстрорастущих игроков отрасли: её выручка от DRAM в первом квартале выросла более чем на 700% год к году.
Одна из причин происходящего — глобальный бум искусственного интеллекта. Samsung, SK hynix и Micron активно направляют ресурсы на производство высокоскоростной памяти HBM для ускорителей Nvidia, AMD и ИИ-дата-центров. Одновременно растёт спрос и на обычную DRAM для серверов, ноутбуков, смартфонов и персональных компьютеров.
Для Китая расширение CXMT имеет ещё одно значение — технологическую независимость. Компания становится одним из ключевых элементов китайской стратегии по созданию собственной полупроводниковой промышленности и сокращению зависимости от зарубежных поставщиков.
Незадолго до сообщений о новом пекинском проекте CXMT провела IPO примерно на $8,6 млрд, став крупнейшим размещением полупроводниковой компании на материковом рынке Китая. Полученный капитал создаёт дополнительные возможности для дальнейшего расширения производства.
Если новые предприятия будут введены в эксплуатацию, Китай сможет значительно увеличить собственное предложение DRAM именно в тот момент, когда мировой рынок сталкивается с высоким спросом со стороны ИИ.
Главный вопрос: сможет ли CXMT действительно потеснить Samsung, SK hynix и Micron — и приведёт ли рост китайского производства к усилению конкуренции на рынке оперативной памяти?
Генеральный директор SK hynix Квак Но Джун предупредил, что 2027 год может стать самым тяжёлым годом текущего дефицита памяти. По прогнозу компании, спрос на микросхемы памяти продолжит превышать производственные возможности SK hynix даже после 2030 года.
Одна из главных причин — искусственный интеллект. Современным ускорителям Nvidia, AMD и другим вычислительным системам требуются огромные объёмы HBM — High Bandwidth Memory. Производство такой памяти значительно сложнее обычной DDR5 и требует больше ресурсов и производственных мощностей. В результате производители перераспределяют часть мощностей в пользу более прибыльной HBM, что дополнительно ограничивает предложение традиционной DRAM.
SK hynix пытается решить проблему масштабными инвестициями. Компания расширяет предприятия в Чхонджу и строит новые производственные мощности в крупнейшем полупроводниковом кластере Ёнъин. Сам производитель прямо называет нынешний дефицит и резкий рост спроса одной из причин ускоренного расширения производства.
При этом новые фабрики невозможно построить мгновенно. Производство передовой памяти требует дорогостоящего оборудования, чистых помещений, EUV-литографии и сложных линий упаковки HBM. Поэтому даже многомиллиардные инвестиции могут заметно увеличить предложение только через несколько лет.
Для обычных пользователей эта гонка важна не только из-за серверов. Если производственные мощности продолжают уходить в сторону памяти для ИИ, ситуация может влиять на доступность DRAM для компьютеров, ноутбуков и другой электроники.
Получается необычная ситуация: развитие искусственного интеллекта увеличивает спрос не только на GPU, но и буквально на память для всего мира.
Сможет ли Samsung, SK hynix и Micron нарастить производство достаточно быстро, или рынок действительно ждёт многолетний дефицит?