Nikkei: TSMC в 2027 году повысит цены на чипы на 10%
Крупнейший в мире контрактный производитель микросхем, тайваньская компания TSMC планирует с 2027 года повысить цены на свои чипы на 10%. Об этом сообщает японское агентство Nikkei со ссылкой на неназванные источники. По данным источников, таким образом компания планирует компенсировать рост затрат на материалы, производственное оборудование и строительство заводов за рубежом.
Nikkei уточняет, что цены вырастут на 5-10% в зависимости от моделей и поколения чипов. Например, цены на модели с технологиями 12-нм, 16-нм и 28-нм, могут вырасти на 10%.
TSMC не комментирует сообщения о скором повышении цен. «Наша ценовая стратегия носит стратегический, а не оппортунистический характер. Мы продолжим тесно сотрудничать с клиентами и продавать им наши продукты»,— заявил представитель тайваньской компании.
В сеть попали новые подробности о будущих процессорах AMD Zen 6, известных под кодовым названием Medusa. Информацией поделился инсайдер Moore’s Law Is Dead, поэтому важно понимать: пока это утечка, а не официальное заявление AMD.
Главная интрига — рекордные частоты. По данным источника, производительные ядра Zen 6 смогут работать на частоте около 6,5 ГГц из коробки, а настольные модели в режиме Boost могут достигать 6,6 ГГц и даже приближаться к 7 ГГц. Если это подтвердится, AMD сможет превзойти нынешние рекордные потребительские процессоры Intel по максимальной частоте.
Добиться такого результата компания может за счёт перехода на 2-нм техпроцесс TSMC N2X. Именно на нём, по слухам, будут производиться процессорные чиплеты нового поколения.
Не менее интересна мобильная линейка Medusa. Базовый Medusa Point может получить до 10 ядер Zen 6 и встроенную графику RDNA 4. Более мощный Medusa Halo Mini, по утечке, будет оснащён 14-ядерным CPU и графикой RDNA 5, производительность которой может приблизиться к уровню GeForce RTX 4060. А флагманский Medusa Halo может получить до 26 ядер и ещё более мощную встроенную графику.
Также AMD якобы готовит графические чиплеты Alpha Trion, которые могут использоваться в настольных видеокартах, мобильных процессорах и будущих игровых консолях Xbox. Для доступного сегмента упоминается отдельный процессор Bumblebee с 6 ядрами Zen 6 и графикой RDNA 4.
Если планы не изменятся, первые настольные Zen 6 и мобильные Medusa Point могут появиться в первой половине 2027 года, а официальный анонс может состояться на CES 2027. AMD явно делает ставку не только на CPU-производительность, но и на серьёзное усиление встроенной графики.
Harvard-дропауты Гэвин Уберти и Роберт Вейчен два года собирали чип, который умеет ровно одно — гонять инференс трансформеров, и делает это лучше любого универсального GPU. Раунд закрыт по оценке $5 млрд, а заказчики уже законтрактовали систем на $1 млрд — ещё до старта серийных поставок.
Идея Etched выросла из простого наблюдения: почти все деньги индустрии сейчас уходят не на обучение новых моделей, а на инференс — прогон уже готовых LLM через миллиарды запросов пользователей. Nvidia GPU при этом остаются универсальными: одна и та же архитектура должна тянуть и обучение, и инференс, и это компромисс, который стоит производительности.
Чип Etched называется Sohu и построен по принципиально другой логике — это ASIC, «заточенный» исключительно под архитектуру трансформеров. Компания убрала из кристалла всё, что нужно для обучения, и получила высвободившееся место под чистую инференс-мощность. Ключевая технология — «Low Voltage Inference»: блоки чипа работают на пониженном напряжении, что позволяет держать 80%+ от пиковой производительности без теплового троттлинга. Для сравнения — обычные ускорители на практике редко превышают половину паспортных FLOPs, потому что упираются в тепловой предел.
В цифрах разница выглядит внушительно: восьмичиповый сервер на Sohu прогоняет модель Llama 70B на скорости 500 000+ токенов в секунду. Сопоставимая по размеру связка из восьми Nvidia H100 выдаёт около 23 000 токенов/сек, а более новая восьмёрка B200 — порядка 43-45 тысяч. Разница на порядок и больше — именно на том типе нагрузки, ради которого чип и проектировался.
Первые чипы Sohu уже прошли производство на линии TSMC N4P (усовершенствованный 5-нм техпроцесс) с первого захода. Помимо самого чипа Etched строит готовые серверные стойки — с кастомными платами, жидкостным охлаждением и гибридной памятью SRAM/HBM с собственным низколатентным интерконнектом. Первые поставки таких стоек компания обещает начать этим летом.
Список инвесторов раунда выдаёт масштаб доверия к идее: в нём фонд, связанный с TSMC, а также Jane Street, Hudson River Trading, Two Sigma, Ribbit Capital и Stripes. В ангелах — имена, которые сами определяют повестку индустрии: Джеффри Хинтон, Фей-Фей Ли, Андрей Карпаты, Артур Менш (сооснователь Mistral), а в капе значатся Стэнли Дракенмиллер и Питер Тиль.
Intel официально начала работу над будущими сверхтонкими техпроцессами Intel 10A и 7A. Об этом сообщил генеральный директор компании Лип-Бу Тан. Эти технологии должны прийти на смену текущему Intel 18A и следующему поколению Intel 14A в течение следующего десятилетия.
Главная ставка Intel — долгосрочная дорожная карта. Компания хочет показать клиентам и партнёрам, что снова способна планировать развитие полупроводниковых технологий на годы вперёд. Для крупных заказчиков это критически важно: им нужны не только конкурентные чипы сегодня, но и уверенность в производственной базе будущего.
Intel 14A уже движется по плану. Версия 0.5 PDK доступна, а версия 0.9 PDK ожидается в октябре. Именно этот этап Лип-Бу Тан назвал «святым Граалем», потому что он важен для проектирования и подготовки будущих продуктов клиентов.
Производство по Intel 14A планируют запустить в 2028 году, а серийный выпуск чипов ожидается в 2029-м. Примерно в это же время TSMC должна начать массовое производство по своему техпроцессу A14. Однако Intel делает акцент на питании с обратной стороны кристалла и высокопроизводительных решениях для дата-центров.
Особую роль в этой гонке сыграют литографические системы ASML High-NA EUV. Эти инструменты должны использоваться в Intel 14A, а затем и в будущих 10A и 7A. Внедрение High-NA EUV будет сложной задачей, поэтому Intel активно работает с ASML и партнёрами, чтобы подготовить экосистему к массовому производству.
Если Intel удастся реализовать эту дорожную карту, компания может серьёзно усилить позиции в контрактном производстве чипов и снова стать одним из главных игроков в полупроводниковой гонке.
TSMC продолжает расширять свой производственный комплекс в Аризоне и направляет ещё $20 млрд на развитие проекта. В целом инвестиции компании в три завода в США оцениваются примерно в $65 млрд. Для Америки это важный шаг: страна хочет снизить зависимость от азиатского производства и вернуть часть выпуска передовых чипов на свою территорию.
Но на практике всё оказалось сложнее, чем просто выделить деньги и построить фабрику. TSMC столкнулась сразу с несколькими серьёзными проблемами. Первая — нехватка воды. Производство полупроводников требует огромных объёмов очищенной воды, а Аризона и без того считается регионом с водными ограничениями.
Вторая проблема — кадры. Для работы на таком заводе нужны специалисты, которые умеют обслуживать сложнейшее литографическое и производственное оборудование. Найти достаточное количество таких работников на месте оказалось непросто.
Третья сложность — визовые правила США. TSMC пытается привлекать специалистов из Тайваня, чтобы быстрее запускать и обслуживать производство, но бюрократические ограничения замедляют процесс.
Эта история хорошо показывает: полупроводниковая независимость — это не только субсидии и громкие инвестиции. Это ещё инфраструктура, вода, люди, технологии и государственные правила. И именно эти факторы могут определить, насколько быстро США смогут нарастить собственное производство чипов.
Термин "Парадокс суб-2нм" (англ. The Sub-2nm Paradox) возник в технических сообществах - в первую очередь на Reddit (r/AskEngineers) - как обозначение фундаментального противоречия, с которым столкнулась полупроводниковая индустрия на рубеже 2020-х годов.
Суть парадокса
С одной стороны, компании - TSMC, Samsung, Intel, IBM - демонстрируют прорывные результаты в производстве чипов "2-нанометрового" и даже "1.8-нанометрового" уровня. С другой стороны, ни один физический размер транзистора на этих чипах не равен 2 нанометрам.
По данным IEEE IRDS 2021, "2,1-нанометровый" техпроцесс характеризуется:
Шаг затвора (contacted gate pitch): 45 нм
Шаг металлизации (metal pitch): 20 нм
То есть маркетинговое "2нм" соответствует реальному шагу металлизации в 20 нм - в десять раз больше. Это и есть ядро "парадокса":
"2 нм используется преимущественно как маркетинговый термин для обозначения нового поколения чипов с увеличенной плотностью транзисторов, скоростью и сниженным энергопотреблением" - Wikipedia, "2 nm process".
1. Исторический контекст: Умирание закона Мура
Закон Мура, сформулированный Гордоном Муром в 1965 году, предсказывал удвоение числа транзисторов на кристалле примерно каждые два года. За 60 лет полупроводниковая индустрия прошла путь от 20-микрометрового процесса (1968) до 3-нанометрового (2022) и "2нм" (2025).
Изображение MOSFET-кристалла. Источник: Wikimedia Commons (CC BY-SA 4.0)
На техпроцессах меньше 7 нм традиционное масштабирование перестало приносить ожидаемые выгоды. Каждый шаг даётся ценой экспоненциально растущих затрат.
2. Архитектура транзисторов: от FinFET к GAAFET
Главный технологический "движок" суб-2нм эпохи - переход от FinFET к GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor).
FinFET (2011–2022)
Трёхмерный транзистор с "плавником" (fin) - каналом, обведённым затвором с трёх сторон. FinFET работал вплоть до 3-нанометрового техпроцесса (TSMC N3E, Samsung 3GAP).
GAAFET / Nanosheet (2025+)
В GAAFET затвор полностью окружает канал - горизонтальные нанолисты (nanosheets) расположены друг над другом. Это обеспечивает лучший электростатический контроль и снижает утечки.
IBM 2-нанометровая пластина - первый в мире чип 2-нм техпроцесса. Фото: IBM, через IEEE Spectrum
IEEE Spectrum, 6 мая 2021: IBM представила первый в мире чип 2-нм техпроцесса, используя нанолистовую технологию с тремя слоями кремниевых нанолистов и длиной затвора 12 нм. Чип обеспечивает +45% производительности при том же энергопотреблении против 7-нм чипов, либо -75% энергопотребления при той же производительности.
+10–15% производительности при том же энергопотреблении (vs N3E)
-25–30% энергопотребления при той же производительности
+15% плотности транзисторов (mixed design)
TSMC использует первую в своей истории GAAFET-архитектуру и супер-ёмкие SHPMIM-конденсаторы (вдвое большая ёмкость на единицу площади). Производство запущено на новом Fab 22 в районе Каосюна.
Intel 18A (1,8 нм)
Intel не стала делать "2нм" в привычном понимании, а пошла на 18A = 18 ангстрем (1,8 нм). Узел включает две инновации:
RibbonFET - собственная версия GAAFET
PowerVia - подвод питания через заднюю сторону пластины (Backside Power Delivery)
Tom's Hardware, 1 апреля 2025: Intel объявила о начале рискового производства 18A. Узел на 30% плотнее и на 15% энергоэффективнее Intel 3.
TSMC Fab 22 - производство 2нм чипов. Фото: TSMC / Tom's Hardware
Rapidus - японская инициатива
Консорциум японских компаний, созданный при поддержке правительства. В 2022 году подписал соглашения с IMEC и IBM. В 2025 году объявил о начале пробного производства 2нм GAAFET на фабрике IIM-1.
4. Квантовый барьер: почему миниатюризация упирается в предел
На масштабе менее 2 нм в игру вступают квантово-механические эффекты, которые принципиально ограничивают дальнейшее масштабирование.
Туннелирование
Когда толщина оксидного слоя затвора становится сравнима с длиной волны электрона (~0,5 нм), электроны начинают туннелировать через потенциальный барьер. Это вызывает паразитные токи утечки даже в выключенном состоянии транзистора.
Флуктуация легирования (Dopant fluctuation)
При размере транзистора менее 5 нм в активном регионе содержатся считанные десятки атомов легирующей примеси. Один "не тот" атом может изменить пороговое напряжение на вольты.
Размытие канала
В FinFET при масштабе менее 7 нм канал становится настолько тонким, что электроны "протекают" через него даже при закрытом затворе. Именно поэтому FinFET утратил актуальность.
5. Литография: EUV и High-NA EUV
Ключевое оборудование суб-2нм производства - экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV, λ = 13,5 нм).
2018 - TSMC 7нм: первое массовое производство с EUV (ASML NXE:3100)
2021 - IBM 2нм: EUV-паттернинг применён к FEOL (Front-End-Of-Line)
2024 - Первая установка High-NA EUV (ASML NXE:2000) установлена на предприятии Intel
2025–2027 - High-NA EUV для 1нм и суб-1нм техпроцессов
High-NA EUV (Numerical Aperture = 0,55 вместо 0,33) обеспечивает разрешение ~8 нм - необходимое для 1-нанометрового и далее 0,5-нанометрового техпроцессов. Стоимость каждой установки - около $400 млн.
6. За пределами 2нм: дорожная карта IMEC до 2036
IMEC представила дорожную карту, расширяющую двухлетний ритм смены техпроцессов до 2036 года, с конечной точкой "A2" - 2 ангстрема (0,2 нм). Ключевые инновации:
CFET (Complementary FET) - вертикально уложенные друг на друга nFET и pFET
2D-материалы - монослои WS₂ (дисульфид вольфрама) как канал транзистора
Рутений для металлизации (вместо меди) - лучшее сопротивление на наноуровне
Графен для межсоединений
Воздушные зазоры (air gaps) для снижения диэлектрической проницаемости
Tom's Hardware, 21 мая 2022: "Imec представляет дорожную карту суб-1нм процесса и транзисторов до 2036 года".
CFET - следующий шаг после GAAFET
В 2023 году Intel, Samsung и TSMC продемонстрировали CFET-транзисторы - два горизонтальных нанолиста, расположенных вертикально друг над другом: p-тип сверху, n-тип снизу. Это удваивает плотность транзисторов без уменьшения площади.
7. Экономика парадокса: стоимость и доступность
Стоимость перехода на новые техпроцессы (оценки)
7 нм: ~$5–10 млрд для фабрики
5 нм: ~$10–15 млрд
3 нм: ~$20 млрд
2 нм: ~$20–25 млрд (TSMC Fab 20 + Fab 22)
High-NA EUV станок: ~$400 млн каждый
8. Выводы: парадокс и его разрешение
"Парадокс суб-2нм" - это не столько техническая проблема, сколько философский вызов. Он обнажает разрыв между:
Маркетингом (техпроцессы называются по вымышленным "нанометрам")
Физикой (реальные размеры в 10 раз больше маркетинговых)
Экономикой (экспоненциальный рост стоимости каждого шага)
Индустрия находит ответы на каждый из этих вызовов:
✅ GAAFET - новый тип транзисторов
✅ High-NA EUV - новая литография
✅ Backside power delivery - новая архитектура питания
✅ 2.5D/3D чиплеты - новый подход к интеграции
❓ 2D-материалы, CFET, молекулярные транзисторы - будущее после 2030
По оценкам IBM, замена серверов всех дата-центров мира на 2нм-процессоры сэкономила бы достаточно энергии для питания 43 миллионов домов. А зарядка смартфона потребовалась бы раз в 3–4 дня вместо каждого дня.
Парадокс суб-2нм - не тупик. Это поворотный пункт, после которого эра "просто уменьшать транзисторы" заканчивается, и начинается эра системной инженерии на атомарном уровне.
TSMC продолжает ускоренно расширять производство на самых передовых техпроцессах — 3 нм и 2 нм. Причина очевидна: спрос на чипы для искусственного интеллекта уже превышает возможности крупнейших контрактных производителей. К концу 2026 года компания планирует увеличить выпуск таких пластин примерно на 20%, чтобы частично закрыть потребности крупнейших клиентов рынка.
Основной акцент TSMC делает именно на 3-нм и 2-нм техпроцессах, потому что именно на них сегодня заказываются самые важные ИИ-чипы нового поколения. По имеющимся данным, компания уже столкнулась с серьёзной нехваткой мощностей на своём ведущем 3-нм производстве в Тайване. При этом план выпуска был пересмотрен в сторону роста: вместо прежних ориентиров TSMC рассчитывает выйти на значительно более высокий объём производства к концу года.
Параллельно компания активно продвигает и 2-нм направление. Это особенно важно на фоне долгосрочных заказов от таких гигантов, как NVIDIA, AMD и Apple, которые продолжают резервировать мощности вперёд. Несмотря на масштабные инвестиции в новые фабрики и расширение существующих линий, дефицит, по прогнозам, может сохраняться как минимум до 2027 года.
В этом видео разберём, почему TSMC наращивает выпуск 3-нм и 2-нм пластин, как бум ИИ влияет на рынок полупроводников, почему даже крупнейший производитель чипов уже не успевает за спросом и какие возможности это открывает для конкурентов вроде Intel.
Не так уж и важны ваши чипы, все, кому не лень, их повторяют. Так что тайвань не важен.
Китаю и сша пипец как важен тайвань, там же чипы, которые никто не может повторить, потому бомбить они тайвань не будут, даже что бы поднасрать друг другу.
Автор, ты уж как то определись, тайвань важен, или тайвань не важен? Чипы важны, или всем пох?
