Далее пластина вновь перемещается в трековый инструмент. Здесь модифицированный резист смывается с ее поверхности с помощью растворителя, а для затвердевания оставшегося резиста еще раз применяются нагрев и высушивание.

После формирования рисунка пластина отправляется в другие машины. Области без затвердевшего резиста подвергаются травлению, и на них распыляются различные химические вещества — одни заполняют собой образовавшиеся канавки, а другие образуют основу для следующего слоя.

Данный процесс повторяется несколько раз, пока поверх первого слоя не образуется множество дополнительных слоев соединений. Именно через них транзисторы чипов будут «общаться» друг с другом. Толщина этих соединительных проводов зависит от высоты слоя: внизу с транзисторами контактируют самые тонкие, а наверху располагаются самые крупные.

Циклы построения слоев повторяются десятки раз, а количество их отдельных этапов приближается к тысяче. Поэтому общее время, необходимо для создания одной пластины с чипами, достигает четырех месяцев.

Транзисторный слой современных чипов формируется с помощью машин EUV (Extreme UltraViolet), которые работают с экстремально короткими ультрафиолетовыми волнами длиной всего 13 нм.

Верхние соединения чаще всего создаются с помощью машин DUV (Deep Ultra Violet), которые работают с более длинными ультрафиолетовыми волнами — обычно от 193 до 365 нм.

Машины DUV появились еще в 2000-х годах и обходятся намного дешевле, чем более передовые EUV. Поэтому некоторые простые чипы, для которых не требуются тонкие техпроцессы производства, до сих пор производятся только их силами.

Формирование EUV-света

Давайте заглянем внутрь EUV-машины. Она состоит из пяти основных компонентов: источника света (Source), осветителя (Illuminator), манипулятора и столика визирной сетки (Reticle Handler/Stage), проекционной оптики (Projection Optics), а также манипулятора и столика пластин (Wafer Handler/Stage).

Ключевой компонент — это источник экстремального ультрафиолетового света (EUV). Почему используется именно такой свет, и что он дает?

Представьте, что вы переносите буквы с трафарета на бумагу с помощью толстого маркера. Если закрашивать крупные буквы, они будут выглядеть четко. Но стоит закрасить несколько мелких букв рядом, и краска расплывется, не давая их прочитать. А вот если повторить тот же процесс с помощью тонкой ручки, то даже мелкие буквы перенесутся четко и будут читаемыми.

EUV-свет с длиной 13 нм — это та самая тонкая ручка, которая позволяет копировать рисунки с линиями толщиной около 10 нм.

Если использовать свет с большой длиной волны, то он не сможет проникнуть в микроскопические отверстия нашей маски-трафарета, и узор ее рисунка потеряется.

В отличие от него, экстремально короткие ультрафиолетовые волны беспрепятственно проходят через маску, четко перенося на пластину все детали и контуры.

Ультрафиолетовое излучение такой длины не встречается в природных источниках света, поэтому создается искусственно. Для этого используется сложная система из двух лазеров и нескольких усилителей, которые установлены под EUV-машиной.

С помощью зеркал импульсы лазера проходят в контейнер-источник, где на их пути распыляются микроскопические шарики из олова. Первый импульс мощностью в 5 кВт превращает олово в жидкую каплю. Второй импульс имеет мощность в 25 кВт — при взаимодействии с ним капля испаряется, переходя в состояние раскаленной плазмы. В процессе этого происходит выброс электронов, благодаря которому и возникает EUV-свет.

Олово для этой операции хранится в специальной емкости и поддерживается в расплавленном состоянии. С помощью системы шлангов оно попадает в пьезоэлектрический распылитель, который за счет высокого давления азота внутри своего резервуара обеспечивает подачу тонкой и равномерной струи.

Когда капля олова попадает в рабочую область контейнера, ее траекторию отслеживает несколько высокоскоростных камер. Эта информация передается приводам зеркал, цель которых сдвинуть отраженный лазерный луч так, чтобы он попал точно в каплю.

Для генерации EUV-света нужной интенсивности выстрелы по каплям совершаются около 50 тысяч раз в секунду. Чтобы поддерживать равномерный темп излучения, система может пропускать некоторые капли мимо лазера — они попадают в специальный отвод.

Излученный свет собирается в пучок с помощью первого зеркала, называемого коллектором. Он направляется в промежуточный фокус — микроскопическое отверстие, которое пропускает только EUV-лучи и отсеивает более длинные.

Затем луч EUV-света попадает в осветитель — систему из нескольких фацетных зеркал, которые рассеивают его на более широкий пучок из множества линий.

Пучок света проецируется на маску, а прошедшие через нее лучи с помощью еще одного массива зеркал отправляются в конечную цель путешествия — на поверхность кремниевой пластины.

Особенности работы с EUV-светом

Экстремально глубокий ультрафиолет отличается от видимого света многими свойствами. Например, он сразу поглощается молекулами воздуха, поэтому внутри его пути в EUV-машине всегда соблюдается вакуум.

Более того, EUV поглощается стеклом и почти всеми прочими материалами. Поэтому для фокусировки и передачи такого света используются зеркала, а не линзы. Но и обычные зеркала для этой цели тоже не подходят. В EUV-машине используются специальные зеркала, называемые отражателями Брэгга. Они состоят из десятков чередующихся слоев кремния и молибдена, каждый из которых имеет толщину всего в несколько нанометров. Когда EUV-луч попадает на поверхность такого отражателя, то только 3 % отражается от одного слоя, а оставшийся свет проходит насквозь. Благодаря множеству слоев луч отражается от каждого, поэтому в сумме одно зеркало способно перенаправить чуть более 70 % попавшего на него света.

В оптической системе EUV-машины более десяти зеркал, поэтому часть исходного потока света теряется после каждого переотражения. В результате до кремниевой пластины доходит менее 10 % от его изначальной яркости. Именно поэтому первоначальный свет от источника должен быть максимально ярким.

Другой особенностью работы с EUV-лучами являются фацетные зеркала. Они состоят из множества сегментов, наклон каждого из которых управляется независимо с помощью системы с миниатюрным электроприводом.

За счет этого можно создавать из точечного EUV-света сложные рисунки освещения.

В виду ограничения фотоматериалов

ПРОДОЛЖЕНИЕ СЛЕДУЕТ...

В основе любой электроники, которой мы пользуемся ежедневно, лежат микрочипы из миллиардов транзисторов. Их существование стало возможным благодаря фотолитографии — сложному процессу, позволяющему наносить огромное количество логических элементов на миниатюрные кремниевые пластины. Как работает современное фотолитографическое производство, и как оно устроено внутри?

Введение

ПК, ноутбуки, смартфоны, планшеты, громоздкие автомобили и миниатюрные смарт-часы. Внутри этих устройств скрывается несколько разновидностей современных микрочипов: центральные и графические процессоры, системы на чипе (SoC), а также чипы оперативной (DRAM) и флеш-памяти (NAND).

Каждый из таких чипов состоит из миллиардов миниатюрных транзисторов, соединенных вместе несколькими слоями токопроводящих дорожек.

Самые мелкие элементы подобных транзисторов имеют размер около 10 нм — это всего 45 атомов кремния.

Чтобы производить такие сложные чипы, используется сложная последовательность фотолитографических процессов. Каждый из них состоит из нескольких этапов, которыми занимается специализированная машина-установка.

Принцип фотолитографии можно сравнить с копировальным аппаратом. С ее помощью на кремниевую подложку переносятся микроскопические рисунки элементов транзисторов и слоев соединяющих их дорожек.

Инструменты для фотолитографии постоянно совершенствуются, позволяя копировать все более мелкие элементы. Тут можно привести сравнение с печатью текста: чем тоньше и прогрессивнее технологический процесс, тем меньшим шрифтом можно напечатать буквы (то есть — транзисторы чипа).

Ключевыми установками для производства современных микрочипов являются машины, работающие с экстремально глубоким ультрафиолетовым светом — EUV (Extreme UltraViolet).

Принцип работы литографической машины

Начнем обзор с принципа работы EUV-машины. Первым делом в нее помещается фотомаска — трафарет транзисторного слоя будущего чипа.

Затем в машину загружается предварительно обработанная круглая пластина из кремния диаметром 300 мм.

С помощью источника ультрафиолетового света и системы зеркал шаблон с маски переносится на небольшой кусочек пластины. После этого пластина сдвигается, и процесс повторяется снова и снова — до тех пор, пока она полностью не заполнится «рисунками» транзисторного слоя будущих микрочипов.

На обработку одной пластины EUV-машина тратит около 18 секунд — за это время шаблон переносится около сотни раз. Затем подается следующая пластина, и весь процесс повторяется снова. После окончания процедуры заготовка отправляется в другую разновидность фотолитографической машины, где поверх транзисторов аналогичным образом формируются несколько слоев их соединений. Если заглянуть внутрь готового чипа, можно будет увидеть вот такой лабиринт из них.

Здесь можно привести аналогию с книгой. Слои соединений — это страницы с буквами среднего размера, а транзисторный слой — страница с самыми мелкими. Поэтому для «печати» соединений в ряде случаев может использоваться более простая фотолитография в глубоком ультрафиолете (DUV — Deep Ultra Violet).

Насколько мелки элементы транзисторного слоя? Представьте, что толщина штриха каждой буквы составляет 13 нм. Тогда слово «cat» будет иметь размер в 240х155 нм.

Страница подобного текста будет иметь размер эритроцита. А одна глава книги займет область, схожую по размерам с пылинкой.

С таким шрифтом на площади графического процессора топовой видеокарты уместятся семь книг о Гарри Поттере, все творчество Стивена Кинга, весь текст английской Википедии, а также все книги из крупной городской библиотеки. Система фотолитографии копирует подобный рисунок с «текстом» из транзисторов очень быстро — менее, чем за одну секунду.

Как устроено литографическое производство

Рассмотрев принцип формирования микрочипов, совершим виртуальную экскурсию на их производство. Кремниевые пластины попадают сюда сложенными в специальные контейнеры FOUP.

В процессе производства чипов эти контейнеры переносятся от машины к машине с помощью автоматизированной подвесной транспортной системы.

Прибыв к нужной машине, контейнер опускается. Пластины поочередно выгружаются из него для той или иной обработки — нанесения, засвечивания или удаления материала.

После завершения одного процесса пластины вновь попадают в FOUP и переносятся к следующей машине. Так продолжается до тех пор, пока не будут «выстроены» все слои будущих чипов.

Шаги этого процесса можно сравнить с распылением краски на бумагу через трафарет: она остается там, где в трафарете присутствуют отверстия, и не попадает туда, где этих отверстий нет.

А после распыления нескольких слоев краски разных цветов получается итоговое цветное изображение.

В нашем случае вместо слоев рисунка на масках-трафаретах находятся схемы слоев транзисторов и соединяющих их дорожек, которые вместо бумаги переносятся на пластину из кремния.

В этом процессе участвуют разные типы установок. Одни осаждают материалы на кремний или смывают их с него (Spray Paint) — подобно тому, как распыляется или смывается краска. А EUV- и DUV-машины выполняют роль трафаретной печати (Stencil), благодаря которой перед нанесением краски на пластины переносятся контуры нужного рисунка.

Процессы создания слоев чипов

Перейдем к тому, как создаются слои чипа. Сначала кремниевая пластина поступает в установку, называемую трековым инструментом. Здесь на нее добавляется светочувствительный материал — фоторезист, который равномерно распределяется по поверхности пластины за счет вращения центрифуги.

Чтобы резист затвердел, пластина нагревается и высушивается.

По окончанию процедуры пластина переходит в EUV-машину. Здесь ультрафиолетовый свет пропускается через маску-трафарет, а затем с помощью системы зеркал уменьшается и проецируется на малую область пластины.

На всех участках, где свет попал на пластину, резист под действием ультрафиолета модифицируется — таким образом, рисунок маски «отпечатывается» на ее поверхности. Затем пластина сдвигается, и процесс повторяется сотни раз до ее полного заполнения этими отпечатками.

В виду ограничения фотоматериалов

ПРОДОЛЖЕНИЕ СЛЕДУЕТ...

ГП с трассировкой — устройство и принцип работы

Несмотря на все ухищрения, для быстрых расчетов трассировки все также требуется мощное вычислительное оборудование. Поэтому видеокарты, поддерживающие ее, оснащаются тысячами шейдерных процессоров и специализированными вычислительными блоками — RT-ядрами.

Шейдерные процессоры выполняют арифметические операции, в то время как RT-ядра разработаны и оптимизированы именно для операций трассировки лучей.

Внутри RT-ядер находится два вычислительных движка. Первым начинает работу движок, занимающийся поиском пересечений лучей с объемами-коробками BVH.

Когда находится самая маленькая коробочка, пересекающая луч, в дело вступает второй движок. Он ищет пересечения лучей с полигонами.

Как и шейдерные процессоры, RT-ядра работают параллельно друг с другом. На современных видеокартах это позволяет обрабатывать несколько миллиардов лучей в секунду, а общий счет выполненных операций при этом достигает триллионов. Например, NVIDIA GeForce RTX 3090 родом из 2022 года выполняет за одну секунду до 36 триллионов операций. Тогда как самый мощный суперкомпьютер 2000 года, полагающийся на грубую вычислительную мощность центральных процессоров, за то же время осуществлял лишь 12,3 триллиона.

Чем отличается трассировка лучей

Трассировка пути — наиболее продвинутый способ получения компьютерных изображений. Но из-за ее высоких требований в играх пока более распространена обычная трассировка лучей. Оба способа имеют схожую основу, но трассировка лучей обеспечивает меньшую реалистичность освещения взамен на гораздо более скромные требования к оборудованию.

Для реализации трассировки лучей существует несколько техник. Рассмотрим две самые распространенные. Первый вариант схож с трассировкой пути, но имеет некоторые упрощения. Сначала для моделей сцены создаются дубликаты низкого разрешения с малым количеством полигонов.

Кадр с этими моделями просчитывается вне экрана, чтобы получить карту освещенности поверхностей. А затем полученная карта накладывается на кадр высокого разрешения, выводимый на экран.

Это позволяет хорошо интерполировать непрямое освещение, не прибегая к огромному количеству вычислений. Данный способ является одним из методов трассировки, который используется системой освещения Lumen в графическом движке Unreal Engine 5. Второй вариант техники называется трассировкой лучей в экранном пространстве. Тут используется совершенно другой подход на основе трех составляющих: изображения, полученного с помощью традиционного рендеринга, карты глубины кадра и карты нормалей. Из отрендеренного изображения берется информация о цвете объектов. Карта глубины показывает, насколько далеко они находятся от камеры.

В свою очередь, карта нормалей сообщает, в какую сторону полигоны отражают свет.

Когда в процессе трассировки луч попадает на отражающую поверхность, его дальнейшее распространение продолжается в соответствии с этой информацией. Например, попав в озеро, лучи отразились в сторону деревьев — значит на поверхности озера появится искаженное изображение последних.

Главная проблема подобного подхода в том, что он может использовать только отрендеренные кадры с экрана. То есть, когда деревья исчезнут из поля зрения игрока, пропадет и их отражение в озере. Такую технику трассировки лучей используют многие игры прошлых лет, в том числе — Cyberpunk 2077.

Трассировка пути — продвинутая технология построения изображений в компьютерной графике. Она широко применяется для создания реалистичных сцен в фильмах, и все больше становится популярной в новых играх для ПК и консолей. Как работает эта технология, и в чем ее отличия от более распространенной трассировки лучей?

Что такое трассировка пути

Компьютерная графика, используемая в современном кинематографе, основана на одной из техник трассировки лучей — трассировке пути (Path Tracing). Этот алгоритм появился в далеком 1986 году, но из-за своей сложности лишь спустя 30 лет начал массово использоваться для создания графики в фильмах.

Чтобы понять, почему все это время трассировка пути оставалась неосуществимой, ознакомимся с основами построения подобной картинки. Сначала 3D-художники вручную моделируют форму объектов в сцене, а программное обеспечение для рендера разбивает их на мелкие треугольники — полигоны.

Затем на модели накладываются текстуры, которые симулируют материалы определенного цвета и типа — например, шероховатые, гладкие или стеклянные.

Готовые объекты и источники света: солнце, небо, фонари, размещаются в нужных положениях на 3D-сцене. После этого добавляется виртуальная камера и запускается процесс рендеринга — благодаря ему картинка в кадре визуализируется в виде привычного 2D-изображения.

С помощью трассировки пути имитируются отражения света от различных материалов. К примеру, попав на матовую красную черепицу крыши, часть света ей будет поглощена, а другая часть — отразится красным. Отраженный свет от каждого объекта попадает в виртуальную камеру, внося свой вклад в создание изображения.

Для образования каждой точки конечной картинки осуществляется несколько тысяч подобных расчетов. А для формирования одного кадра изображения с разрешением 4К их потребуется несколько миллиардов.

Именно из-за этого долгое время создание изображений с использованием трассировки пути было очень медленным процессом. Например, в 2016 году рендерингом фильмов «Зверополис» и «Моана» занималась ферма из тысяч серверов, которые производили вычисления в течении нескольких месяцев — и это всего для двух часов анимации.

Формирование изображения

Для начала ознакомимся с принципом создания изображения при трассировке пути. Этот алгоритм относится к виду вычислений, которые очень хорошо распараллеливаются: точки картинки независимы друг от друга, поэтому тысячи лучей для каждой из них можно рассчитывать одновременно.

Если показать на картинке траектории всех лучей, которые просчитываются для этой сцены, то она заполнится огромным количеством линий. Поэтому рассмотрим данный процесс на примере одной точки. Первый луч испускается из ее центра и попадает на полигон какого-либо объекта в кадре.

Базовый цвет точки формируется с помощью нескольких лучей, которые попадают рядом с центральным — для этого все их цвета усредняются. Подобные лучи называются первичными.

В результате такого подхода формируется изображение с правильной перспективой.

Глобальное освещение

Мы рассмотрели, как цвет полигонов передается точкам виртуального кадра. Но для получения реалистичной сцены нужно просчитать глобальное освещение объектов — ведь яркость и оттенок цвета каждой точки зависит именно от него.

Для этой цели комбинируются два вида расчетов: прямого (Direct) и непрямого (Indirect) освещения. При первом виде вычислений просчитываются лучи непосредственно от источников освещения — солнца, неба и ламп. Они называются теневыми.

Теневые лучи отражаются от всех объектов сцены, попутно приобретая характер и окраску от их материалов. Таким образом все поверхности, на которые попадает прямое освещение, становятся источниками непрямого. Отраженный свет проникает во все области кадра. В том числе в те, которые закрыты преградами от лучей прямого освещения. На примере ниже можно увидеть, как освещенная зеленая точка на стене отражает свой свет на синюю точку столба, находящуюся в тени.

Этот луч, проходящий между двумя точками, называют вторичным. Если при первом отражении он снова попадет в тень, то от него будут просчитаны дополнительные лучи. Так будет продолжаться либо до попадания на освещенную прямым светом точку, либо до достижения лимита отскоков, при котором дальнейший поиск траектории луча прекращается.

Вместе с траекториями лучей от источников прямого освещения это создает большое количество вычислений. Например, в кадре ниже для получения 20 первичных лучей необходимо рассчитать почти сотню вторичных и теневых.

Благодаря непрямому освещению реалистично просчитывается не только изменение яркости точек, но и их взаимное влияние на цвет друг друга. К примеру, если расположить рядом со столбом красный воздушный шар, то за счет непрямого освещения в его оттенок окрасится и тень от столба.

Не менее важно и то, что направление распространения вторичных лучей зависит от свойств материала объекта. Если он идеально гладкий, то угол падения луча будет равен углу его отражения — благодаря этому поверхность будет выглядеть зеркальной. А от шероховатого материала того же цвета лучи будут отражаться в случайные стороны — из-за этого он, как и положено, будет отображаться матовым.

В случае, если материалом выступает стекло, то будет просчитываться не только отражение света, но еще и его преломление при прохождении насквозь.

Сложность трассировки пути зависит от количества источников света, количества лучей на точку и предельно допустимого числа их дополнительных отскоков. У сцены из первого примера с замком используется четыре источника света, тысяча лучей на точку и 12 отскоков. Чтобы визуализировать один ее кадр в 4К, нужно просчитать примерно 400 миллиардов лучей.

А для создания всего одной секунды такого видео их понадобится просчитать уже около триллиона. Именно поэтому в течение нескольких десятилетий трассировка пути для фильмов считалась невозможной.

Чтобы достичь приемлемой производительности, в современных играх трассировка пути реализована намного проще — один-два луча на точку и от одного до четырех отскоков. Но даже при таких параметрах и базовом разрешении Full HD для комфортной игры каждую секунду видеокарте понадобится просчитывать около полумиллиарда лучей.

Иерархия ограничивающих объемов

Еще одна ключевая трудность при трассировке пути — узнать, на какой именно полигон луч из точки попадает первым, чтобы определить ее основной цвет. В случае, если полигонов десятки или сотни, можно воспользоваться вычислением траектории луча с помощью математических уравнений. Но в современных сценах их миллионы, поэтому этот способ потребует огромных вычислительных ресурсов. Чтобы упростить данный процесс, используется иерархия ограничивающих объемов (Bounding Volume Hierarchy, BVH). При таком подходе сцена разделяется на виртуальные объемы-коробки, в каждой из которых оказывается одинаковое количество полигонов.

Коробки делятся надвое до тех пор, пока в каждой из них не останется всего несколько полигонов (обычно от 4 до 32). В нашем примере сцена состоит из трех миллионов полигонов, которые «раскладываются» в полмиллиона небольших коробочек.

Положение каждой коробки в пространстве выровнено строго по осям координат. Когда луч начинает свое путешествие из точки, его направление сравнивается с координатами первой пары больших коробок. Коробка, которую он не пересекает, исключается из расчетов — как и все более мелкие, на которые она поделена.

Затем направление луча сравнивается с координатами двух меньших коробок, на которые разделена исходная. И так до тех пор, пока луч не достигнет самой маленькой коробки.

В виду ограничения фотоматериалов

ПРОДОЛЖЕНИЕ СЛЕДУЕТ...

NAND — разновидность флеш-памяти, которая является одним из ключевых компонентов огромного количества электронных устройств. Где используется NAND, как связана с искусственным интеллектом, и почему сейчас такая память в дефиците?

Что такое NAND

NAND представляет собой один из видов флеш-памяти — постоянной перезаписываемой памяти на основе транзисторов с плавающим затвором. Свое название она получила благодаря организации ячеек в виде цепочек, напоминающих логические элементы «И-НЕ» («Not-AND»). Подобное устройство позволяет упаковывать их более плотно и обеспечивать большие скорости доступа, чем у флеш-памяти типа NOR («И-ИЛИ», «Not-OR»). Именно поэтому NAND получила куда более широкое распространение.

Современные разновидности микросхем NAND имеют 3D-компоновку, за счет которой ячейки памяти размещаются в несколько слоев.

Во всех устройствах, имеющих флеш-память для пользовательских данных, используется именно NAND. Сегодня ее можно встретить в огромном количестве различной электроники: как в самостоятельных накопителях вроде SSD или флешек, так и в виде встроенных чипов в «умных» устройствах — начиная от громоздких автомобилей и заканчивая миниатюрными смарт-часами.

Почему NAND так востребована сегодня

NAND была изобретена в 1989 году, и впервые появилась в потребительской электронике еще в середине 90-х. Однако долгое время она была дорога в производстве и не очень быстра. Поэтому чипы такой памяти использовались в ограниченных объемах лишь в тех устройствах, которые в силу своей компактности не могли работать с жесткими дисками.

С развитием технологий стоимость производства NAND снижалась, а скорость работы памяти и обслуживающих ее контроллеров росла. Благодаря этому к 2007 году на рынке появились первые накопители на базе NAND-памяти для компьютеров и ноутбуков — SSD.

К сегодняшнему дню представить ПК без твердотельных накопителей просто невозможно. Микросхемы NAND внутри них обеспечивают намного более высокие скорости операций с данными и имеют в разы меньшие задержки доступа, чем магнитные пластины жестких дисков.

Использование NAND критично для тех задач, которые требуют быстрого доступа с минимальными задержками к большим объемам памяти. В последние годы самой распространенной из них стал искусственный интеллект. ИИ-модели используют для обучения огромное количество информации, к хранилищу которой должен быть организован молниеносный доступ — иначе скорость этого процесса может снизиться в разы.

Тенденции потребления

В современном мире цифровой техники потребность в NAND растет не по дням, а по часам. Если в центрах обработки данных (ЦОД) раньше можно было обойтись относительно небольшими SSD для «горячих» данных и большими жесткими дисками для «холодных», то сегодня для задач искусственного интеллекта требуются кратно большие объемы твердотельных накопителей. Поэтому ежегодное потребление NAND в серверном сегменте все время растет — если в 2020 году оно составляло около 18% от объемов произведенной памяти, то к сегодняшнему дню эта цифра увеличилась вдвое.

И, хотя объемы производимой NAND с каждым годом увеличиваются примерно на 30–40%, серверы постепенно откусывают от ее «пирога» еще больший кусок. Из-за этого все меньше памяти остается для других основных потребителей — рынка мобильных устройств и ПК. Это можно наглядно проследить с помощью следующей таблицы.

* - прогноз на основе первых десяти месяцев

Как видим, для центров обработки данных с течением времени требуется все больше и больше NAND — в этом году они впервые обогнали по этому параметру исторически лидирующие мобильные устройства. И, судя по тому, что различные ИИ по мере совершенствования начинают требовать для своих нужд еще большие объемы памяти, такая тенденция будет продолжаться и дальше.

Как будет развиваться ситуация в будущем и чем на это ответят производители

Рост потребления NAND серверами не проходит бесследно для рынка электроники. Из-за дефицита памяти спрос на нее увеличивается, а производители начинают повышать цены. В свою очередь, это приводит к удорожанию конечных устройств с NAND. Особенно тех, которые оснащаются большими ее объемами: SSD-накопителей, готовых ПК и ноутбуков, смартфонов и планшетов.

Производители NAND не могут резко нарастить объемы ее производства: строительство новых фабрик — процесс долгий и затратный, а уже существующие мощности и так загружены на полную. Это усугубляется и тем, что три крупных производителя (Samsung, Micron, SK Hynix) сконцентрированы на выпуске чипов памяти HBM — ведь без них невозможно создание производительных ускорителей искусственного интеллекта. Перераспределение производственных мощностей в сторону NAND могло бы помочь сократить дефицит. Но до тех пор, пока HBM приносит большую прибыль, вряд ли кто-то из «большой тройки» на это пойдет. Поэтому основным способом борьбы с дефицитом флеш-памяти сегодня является технологический прогресс, позволяющий создавать чипы увеличенной емкости. Благодаря ему производители постепенно учатся «выращивать» 3D-стеки NAND с большим количеством слоев, а вдобавок — еще и склеивать больше таких стеков между собой. К примеру, SK Hynix за счет использования этих двух приемов нарастила общее количество слоев последнего поколения своей NAND с 238 до 321.

Наращивание слоев позволяет увеличить не только емкость, но и скорость памяти. Однако последней в серверах и так достаточно. Поэтому в погоне за удешевлением и более высокой плотностью NAND производители постепенно увеличивают количество бит, хранящихся в одной ее ячейке. Как результат, даже в ЦОД четырехбитная QLC NAND постепенно становится из экзотики вторым игроком: если в 2021 году ее имели лишь 10% серверных SSD, то к 2026 году их доля вплотную приблизится к половине.

Итоги

NAND-память — один из ключевых компонентов современной техники. Ее главными достоинствами являются скорость и компактность, благодаря которым эта память нашла приют в огромном количестве различных устройств. Среди потребительской техники основные объемы NAND приходятся на накопители для ПК, смартфоны и планшеты. Но из-за непрекращающегося бума искусственного интеллекта все больше такой памяти уходит в серверы, приводя к ее дефициту.

Подобный расклад сил на рынке приводит к эффекту домино: помимо NAND, дорожает оперативная память, память для видеокарт и даже жесткие диски, которые в условиях недостатка SSD все чаще используются в серверах для хранения «холодных» данных. Учитывая, что снижения востребованности NAND в ближайшее время не ожидается, такая ситуация останется с нами надолго.