Для лиги лени: ничего «своего», кроме комментаторов, и уже не уверен, это «свое», а не LLM.
В комментариях к очередной статье раздался крик – «что такого в использовании всех, без исключения, компонентов из США и Южной Кореи в импортозамещенном устройстве, ведь HPE \ IBM (Lenovo) \ Netapp \ Pure \ весь остальной мир – делают то же самое, используют компоненты из США!
Так и есть. Американские производители, включая случай с Lenovo, используют американские компоненты, произведенные или в США, или на территории под контролем США. Посмотрим на продажный Gartner Magic Quadrant for Primary Storage Platforms за 2024: Hewlett Packard Enterprise. Headquarters: Spring, Houston, Texas, United States NetApp, Inc. Headquarters: San Jose, California, United States Pure Storage, Inc. Headquarters: Santa Clara, California, United States Dell Inc. Headquarters: Round Rock, Texas, United States Infinidat. Headquarters Waltham, Massachusetts, United States Lenovo Group Limited. (Operational headquarters) Morrisville, North Carolina, United States
приведенный единственный пример .. с хауавеем не делают процессоры Показывает, что автор комментария действительно ничего не знает, но мнение имеет. Huawei давно разрабатывает свои процессоры общего назначения, не только мобильные– фирма разработчик HiSilicon, процессоры Kunpeng 916, Kunpeng 920. И даже, с недавних пор, производит - процессоры Huawei Kirin X90, производство SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation), и продвигает их поддержку. И не только проектирует и производит, но и ставит их в сервера TaiShan и СХД Oceanstor Dorado v6. Но это же читать надо, а не рассказывать "покажите, кто свое делает".
Как же Эльбрус? Ведь есть же .. Что есть? Из линейки «Эльбрус» в России выпускался только Эльбрус-2СМ, и то, пока что-то не пошло не так, и пока на Микроне не остановился выпуск чего-то сложного на линии 90 нм от STMicroelectronics. Эльбрус-4С заявлен с 2014 года, но отгружать его стали только в 2015, открытое тестирование прошло только в конце 2015. Производство – Тайвань. Эльбрус-8С. Заявлен с 2015, тестов раньше 2020 года не было. Производство – Тайвань. Эльбрус-8СВ. Заявлен с 2020, тестов раньше 2023 года не было. Производство – Тайвань. Эльбрус-16СВ. Заявлен с 2022, есть тесты инженерного (не серийного), не очень исправного, образца. Производство – Тайвань.
Поэтому внезапно эксперты почти не врут - процессор есть. Возможно, есть даже не один процессор, а два, пять, десять, и даже, может, пятьдесят – сколько штук заказали на Тайване, сколько успели привезти, и сколько из них оказалось исправными, цитата:
На конференции Elbrus Partner Day, которая прошла 13 декабря 2021 г., Трушкин в своем выступлении сообщил, что к тому моменту первая крупная серийная партия «Эльбрусов-8СВ» в 10 тыс. штук уже оказалась на российской таможне. «Мы надеемся до конца года получить их и начать разбраковывать», — добавил он.
Можно ли его купить в розницу, или оптом, 2.5 российским облакам – Яндексу, ВК, и всем остальным? Нет.
Замечу, что в интернете присутствует копиум «снова начат выпуск Эльбрус-2СМ - 1891ВМ9Я», причем присутствует копиум только в одном интервью, цитата:
— Девяностонанометровый двухъядерный «Эльбрус» производится на «Микроне». Конечно, когда-то была возможность производить их за рубежом и по 14-нанометровой топологии, и ниже, но сегодня с этим сложнее. Когда ситуация изменилась, мы внимательно посмотрели, будет ли нам достаточно 90-нанометровой топологии, и поняли, что пока этого хватает. Глава РАН Красников рассказал о двух направлениях развития Академии наук
Производится ли он на самом деле, или, как обычно, девочка секретарь подвел – не известно. Точно секретарь подвел в технической части - Эльбрусы 8 делали на TSMC по 28 нм, а не по заявленным 14 нм. Но в интернете есть отчет «Публичного акционерного общество "Микрон"», где производство Эльбрус-2СМ упомянуто ровно 1 (один) раз – «запущен в опытное производство в 2014». С того же 2014 года нет ни новостей про серийное гражданское производство на Микроне, ни про серийное гражданское производство плат Монокуб-М. Рядом в интернете лежит отчет про применение Эльбрус-2СМ в других системах. Но, сами понимаете, минус 500 градусов, танк секретный.
СХД на Эльбрусе, говорите? Да пожалуйста. Находите где-то процессор. Пересобираете, если получится, ядро Linux с DRBD 9, пересобираете linstor, прикручиваете Zettabyte File System – разработки, кстати, Sun Microsystems, Inc – и вот вам система хранения данных. Можно даже не linstor собрать, а Vitastor или Ceph или RAIDIX. Работать будет.
Финал Вопрос «как будет работать тот же ERA Engine на Эльбрусе» - ответа не имеет. Да и не требуется – нет товара в наличии, чтобы интересоваться его характеристиками.
Недавно опубликовал пост по отечественным литографам на 350 нм. Что все таки есть оборудование для производства процессоров.
Дальше можно не читать, потому что автор текста не различает между собой: 1 Проведены НИОКР по оборудованию, и оно теоретически может работать. Это текущее состояние "российского" литографа. Хотя там не то что уши, целиком торчит Интеграл.
2 Оборудование производится хотя бы ограниченной серией, установлено в соответствующем комплексе зданий, в здании проведены работы по подготовке по обеспыливанию, есть все расходники. Тогда оборудование теоретически может выпускать продукцию, при наличии расходных материалов всех видов - от пластин, масок (это расходник, если вы не знали), до чистых газов, фоторезистов, смывок и так далее.
А так то да, по классике:
Примерно опишу мыслительный процесс позитивно (патриотично) настроенных граждан.
Оборудование можно сделать и самим, но пока можно и просто привезти серым импортом. Оборудование выглядит примерно как большой ящик с дырками, включённый в розетку; в одну дырку складываешь кремний, в другую заливаешь фоторезистор. Под третью дырку надо подставить ведро - в него будут ссыпаться чипы. Вёдра мы делать умеем (хотя и импортируем сейчас, но чертежи-то остались), фоторезистор научатся намешивать в Зелинограде; с кремнием разберемся, не всё сразу. Надо ещё заранее заказать в Китае переходник с европейской розетки на нормальную - лучше сразу 3 или 4, они постоянно горят. Вроде все ясно. И надо ещё 3 или 4 росгвардейца, чтобы ведро не сп%здили.
Чтобы вывезти оборудование, надо дать денег охраннику на заводе чипов в Европе, чтобы он аккуратно отключил от розетки и выволок ящик к проходной. Будет немного поцарапанный - ничего, покрасим. Денег надо дать в пятницу вечером, чтобы они до понедельника не спохватились. Грузовик лучше взять в аренду прямо в Европе (у наших все шины китайские), а потом не возвращать - у нас сразу появятся и чипы и бесплатный грузовик. На грузовике потом можно будет возить кремний.
Там какой-то типа модуль с гпс и электронный ключ. Но мы его хакнем, это не может быть сложно. У меня вот была программа которая выдавала ключ для Windows в 2001 году ещё. И другая для Симсити. Могу даже поискать.
Саппорт разумеется не нужен, зачем - это же просто ящик с тремя дырками. Ну там может какой-то тумблер ещё есть: налево - сыпятся cpu, направо - карты памяти, это можно просто попробовать и понятно будет. Если перестанет работать, то надо просто открыть (гарантия всё равно тютю) и если что-то болтается - подтянуть, где скрипит - смазать, это вам любой инженер скажет. Иногда надо термопасту менять, конечно. Но я вот менял сам, ничего сложного.
Так что не надо негатива. Надо просто засучить рукава и делать.
В последнее время граждане пропагандисты поскучнели. Шпионок с крепким телом не показывают, няшу отправили куда-то на задворки вызывать духов. Скукотища. Почти так же уныло, как постановочное хоум видео 10+ летней давности, где кто-то с кем-то на троих.
Впрочем, к теме. Про космос, после торжественного втыкания Луны-25 в Луну, на фоне успешных посадок частных аппаратов и китайских луноходов, рассказывать не получается. Даже если есть чего. Про самолеты, на фоне переноса сроков выпуска Ту-204/214, Сухого и МС-21 «куда-то потом», тоже не очень получается рассказывать. Причину уже нашли – инженеры не те. Не хотят работать за доширак. Кошкожена тоже не хочет доширак. И гречку не хочет. И в море с нефтью не хочет. Капризная, что поделать. Пруф: Основной проблемой для развития производства Ту-214 собеседник называет дефицит инженерных кадров на предприятии. Сколько предлагают инженеру ? Посмотрим kazan.hh.ru, Казанский авиационный завод им. С.П. Горбунова Инженер-конструктор от 73 000 до 130 000 ₽ Ведущий специалист по подбору персонала от 80 000 ₽
Перейду к такой штуке, как рекламируемый прорыв в микроэлектронике «Вот уже собрали свой, российский, 350 нм, литограф, теперь заживем» Сначала новости. Рассказы про «литограф готов» идут с 2023 - Производство российского литографа для топологии 350 нм начнется в 2024 г. (01 ноября 2023) 21 мая 2024 года в Нижнем Новгороде в кулуарах конференции ЦИПР (Цифровая индустрия промышленной России), проходящей с 21 по 24 мая, заместитель министра промышленности и торговли Василий Шпак сообщил о том, что первый российский литограф, обеспечивающий выпуск чипов по техпроцессу 350 нм, уже создан и проходит испытания.
24 марта 2025, наконец-то, прошло торжественное подписание акта выполненных работ: Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) объявил о завершении разработки и успешном прохождении государственной комиссии первого российского фотолитографа.
Из достижений - Впервые в российском литографе в качестве источника излучения используется не ртутная лампа, а более мощный и долговечный твердотельный лазер. Исключительно от скромности, производителя лазера решили не указывать. Хорошие лазеры для литографии делает 2 (две) фирмы - Trumpf (Германия) и Cymer (владелец ASML Holding, расположена в США). От скромности же решили не уточнять долю белорусского Интеграла в этой устройстве.
Но, что это такое, литограф, и почему эту новость тащат на передний план?
Литограф – это всего лишь одна из машин в середине производства микросхемы, точнее разных видов микрочипов. В теории у нас два миллиона все просто: Суть процесса фотолитографии сводится к тому, что вначале на обрабатываемую поверхность наносится тонкая фоточувствительная полимерная плёнка (фоторезист). Затем эта плёнка засвечивается через фотошаблон с заданным рисунком. Далее проэкспонированные участки удаляются в проявителе.Фотолитография
На практике, литография – это лишь одна из пары тысяч стадий подготовки чипа. Чтобы получить готовый к установке куда-то чип, нужно: Получить металлургический кремний из песка. Из металлургического кремния получить сверхчистый кремний. Из сверхчистого кремния получить монокристалл кремния. Монокристалл нарезать на пластины, пластины отполировать. Спроектировать логику чипа. Спроектировать логику не только чипа, но и окружающих модулей, и всей микросхемы. Для тех же микропроцессоров это и модули памяти, и модули сети, и модули вывода изображения, и какие-то универсальные контроллеры шин – от CAN до USB и PCIe. Перенести логическую схему на физическую модель, на все эти транзисторы и диоды. Сформировать силовую обвязку к физической схеме. Посчитать, сколько тепла будет выделять эта конструкция. Перенести физическую схему на модель для фотошаблона – как вся эта электротехника будет печататься. Сделать исправления модели для того, чтобы все последующие процедуры случайно не убивали еще не готовый кристалл. Сделать этот самый фотошаблон. Желательно, не одноразовый. Сделать фоторезист. Сделать установку нанесения фоторезиста. Сделать проявитель. Сделать закрепитель. Сделать установку смывания фоторезиста, закрепителя, проявителя. Не забыть организовать производство той самой красной пленки. Сделать станки для предварительных операций по подготовке пластины – ионное напыление, технотронное излучение, прочий жабий жыр. ВЫ НАХОДИТЕСЬ ЗДЕСЬ, и где-то тут стоит литограф. Пока просто стоит. Сделать промывку. Сделать сушку после промывки. Сделать еще два десятка станков для единичных операций по производству.
Основные этапы контактной полупроводниковой фотолитографии
Основные этапы контактной полупроводниковой фотолитографии: подготовка подложки (film) на кремниевом субстрате, нанесение фоторезиста, экспонирование ультрафиолетом непосредственно через маску, проявление, травление (etching) и удаление (stripping) резиста (источник: OpenStax, 3D News)
Сделать установки по проверке частично готовых чипов, если это возможно в производственном процессе. Сделать установку для проверки готовых чипов. Сделать установку для распилки пластины с готовыми чипами на одиночные чипы. Сделать установку по установке чипов в корпус. Собрать все это в одном месте – готовые пластины, установки для перемещения пластин между станками, жидкости, газы, люди, все это обслуживающие. Обеспылить помещение. Еще раз обеспылить. Проверить отсутствие пыли. Повторить проверку. Повторять проверку пару раз в день. Сменить фильтры. Обеспылить. Проверить чистоту промывок, газов для сушки, труб, кранов. Промыть. Промыть еще раз. Проверить. Поставить фильтры. Сменить фильтры. Выбрать другие фильтры. Проверить полученные пластины на ориентацию кристалла, кривизну и чистоту. Еще раз проверить. Проверить еще сотню компонентов. ВЫ НАХОДИТЕСЬ ЗДЕСЬ, и тот самый литограф только начинает запускаться. Запустить весь процесс в комплексе, и от полугода до полутора лет ждать, пока из всех углов не вылетит пыль, пока фоторезист не будет наноситься куда надо, прилипать как надо, засвечиваться как надо, смываться, сушиться, и так далее. И довести процесс до того, что все промежуточные установки не портят готовое изделие. Все это нужно, чтобы получить хотя бы 1 (один) процент выхода годных микросхем. Оптимисты могут говорить и про 90% выхода, в реальности бывает и 0 (ноль). Совсем ноль. Погрустнели ? Тогда можно еще раз перечитать статью из 2021 года: Нанометры в микроэлектронике: физика, маркетинг и здравый смысл.
Почему 350 нм – это не то, чтобы ни о чем, но примерно рядом.
Сами по себе эти «350 нм» - это не хорошо, и не плохо. Процесс и процесс, что-то можно делать. Если отладить и запустить в работу процесс, а не зарегистрировать на Хабре или Пикабу сотню пользователей, с единственным комментарием «ура ура, какая победа». Процесс изготовления сотни позитивных комментаторов давно автоматизирован, и не стоит ничего. Процесс запуска реального серийного производства обойдется чуть дороже. Технологическая норма 350 нм для отдельного элемента означает, что для микросхемы будет существовать ряд физических ограничений. Толще дорожки, длиннее проводники. Тяжесть, это хорошо, но не всегда. Большие транзисторы и толстые дорожки добавляют разных ограничений, даже не хочу читать, каких. Все это вместе взятое, вместе с физическими размерами ограничениями на частоты, тепловыделение и размещение, дает некоторые поводы задуматься, и вспомнить историю.
Технологии для производства по технологиям 350 нм разработаны в то время, когда нынешние родители, а то уже и деды, ходили в школу, в 1995 году. Для микропроцессоров на этих технологиях были доступны частоты порядка 150-300 мегагерц, и получалось упаковать от 3.5 миллиона транзисторов на чип (NVidia RIVA 128) , до 7.5 миллионов - Pentium II Klamath . Производительность Klamath порядка 1 мегафлопса. В тред приглашаются любители расшифровки древнего знания - Pentium II Performance Counters. Конечно, сейчас можно сделать камень в 3-4 раза больше, и теплопакет в 200 ватт никого уже не пугает. Будет 2 мегафлопса. Для станка с ЧПУ хватит.
Годится ли процессор с такими характеристиками для автомобиля? Да, годится. Вопрос для чего. Для установки угла зажигания, датчика коленвала или работы ТНВД и такой не нужен. Для демонстрации на приборной панели температуры хватит и микросхемы КБ1013ВК1-2 (более известной по игре «Электроника-02» где волк ловил яйца) или Zilog Z80 с его 8500 транзисторами и технологиями 6000 нм и 4000 нм. Для проигрывания музыки в mp3 нужно что-то порядка 0.1 – 0.2 мегафлопса, и процессор времен 486DX-100. Даже для видео такой 350 нм процессор годится, хотя кому-то формат MovieCD, 320x236, может показаться несколько пиксельным, как и Video CD 352×288. Никаких проблем. Особенно, если сделать специализированный чип, как в плеерах начала 2000х. С памятью будут сложности. Чип тех лет, DDR из 1999 года – это целых 64, или даже 128, мегабита на чип. Например, 02.10.1999 Samsung unveils its first 128- Mbit DDR SDRAM. 16 мегабайт на модуль, 8 модулей, в два ряда с двух сторон, это ж целых 512 мегабайт на планку. 512 Мегабайт. В жизни модули 512Mb DDR SDRAM изготовлялись уже по 100, и затем по 90-нм технологии. Не ферритовые кольца, и то хорошо.
Подойдет ли такое для военной техники? Тот самый F-22 Raptor из 1994 года (первый полет предсерийной машины) – это процессоры Intel i960MX, из 1988 года. 30 МГц частоты, 4 мегабайта памяти, собранный в модули Common Integrated Processor (CIP) mission computers фирмой Hughes . Кому интересно, может почитать рассекреченный Advanced Architectures for Aerospace Mission Systems AGARDCP581 (не знаю, пройдет ли ссылка на сайт агрессивного блока НАТО). Никаких проблем, для летадла без 4к 3D дисплеев много вычислительной мощности не надо (надо, но другой, в докладе есть).
Проблема не в этом. И даже не в объеме производства этих литографов, даже без завода, куда его целый 1 (один) поставить – этот же где-то стоит. И даже не проблема вообще, если сравнить масштабы. Масштабы: TSMC ожидает поставки 30 штук EUV (предпоследние, последние вариации - High-NA EUV) литографов в 2025 году и 35 EUV в 2026. ASML планирует произвести 90 EUV машин, 600 DUV машин, и 20 High-NA EUV машин в 2025 году. TSMC Reportedly Invests over USD 12.3 Billion in EUV, Advancing in 2nm Production
И все это не имеет значения за пределами обсуждения "одного образца". Может, сделают к 2030 году полный рабочий цикл для кого надо. Сделают, сколько надо, сотен штук каких надо чипов. Отгрузят, куда положено. В гражданскую технику это 350-нм изделие все равно не пойдет, даже (если) к этому аппарату появится все остальное. Пока что покупают запчасти к AMSL с разборки.
Просто .. просто надо сравнивать с тем, что делается в микроэлектронике сейчас. На днях NVidia показала Vera Rubin NVL144 и Vera Rubin NVL576 для датацентров, и DGX Spark для дома. Первый будет потреблять электричества как половина всего машинного зала Ростелекома около Калининской АЭС. Ладно, ладно, не кричите, не половину. 600 киловатт всего. В Удомле 48 мегаватт выдали на три корпуса, значит, 20 (двадцать) штук в корпус поместится. Если продадут, и если не включать. Литографы на 130 нм ведь продали с Fab 30 еще в 2006 году, как там они, работают? Включили?
Сравнивать серийные Blackwell Ultra и «ну, может, когда-то что-то сделают, вот же, сделали литограф» так же бессмысленно, как сравнивать Rolls-Royce UltraFan или Rolls-Royce Trent 900 с обещаниями восстановить производство ТВД-10. Интересно, почему не рассказывают про запуск производства ВК-800, про который тоже много лет так рассказывали, так рассказывали. Как, впрочем, и про «вот вот литограф».
Видимо, рассказывать про будущие успехи просто и приятно. И, скоре всего, оплачивается куда лучше, чем авиаинженеры в Казани.
Концовка
Чтобы далеко не ходить, можно сразу начинать Росатомом гордиться. Посмотрим статистику. В 2023 году реакторы выработали (тераватт-часов): США - 779.2 Китай - 406.5 Франция - 323.8 Россия - 204.0 Южная Корея - 171.6 Источник: Nuclear Power in the World Today
Стройка ? Всего по миру: 66 реакторов в постройке. Из них: Росатом – 23, из них 2 в Китае, 4 в Индии, 2 в Бангладеш, 4 в Турции. Все в кредит от РФ, Бангладеш уже сообщил, что денег нет: Российская госкорпорация ВЭБ.РФ потребовала от Бангладеш выплатить $630 млн по кредиту на строительство АЭС «Руппур» до 15 сентября (Газетару). В Индии 4 реактора строит Росатом, но еще три Индия строит сама, или только что достроили своими силами: опытный Fast Reactor (FBR), свой NPCIL, Nuclear Power Corporation of India, и один свой запустили осенью 2024 - Rajasthan-7 PHWR. Китай – строит 28 у себя (и 2 строит Росатом), 1 строит не у себя (Аргентина, HPR‑1000).
Еще по парочке строят Корея, Япония, итд. В США реакторы и так вырабатывают электричества больше, чем в Китае и России вместе взятых, что ничуть не помешало запуску: в 2023 - реактора Vogtle 3, в 2024 - реактора Vogtle 4. Недавно одобрили постройку Natrium Advanced Reactor Demonstration Project. Рекламируемые с 2017 года реакторы Advanced Small Modular Reactors (SMRs) как-то не пошли в производство.
В разных источниках случайно, но почти одновременно, выпали четыре новости.
Первая. 31.01.2026 Стоимость российского литографа «Прогресс СТП-350» от Зеленоградского нанотехнологического центра (ЗНТЦ). .. составляет 392 млн рублей (без НДС). ..общая стоимость комплекса превышает полмиллиарда и достигает 561 млн рублей. Российский литограф с гарантией стоит полмиллиарда без НДС
Срок поставки – 18 месяцев, срок запуска не пишут, но это еще от 1 до 1.5 лет. Если есть подготовленное помещение.
Вторая. 30.01.2026 Московский суд удовлетворил требование Генпрокуратуры конфисковать имущество скрывающегося от следствия за границей бывшего высокопоставленного киберполицейского Георгия Сатюкова. Сумма требования составила 2,5 млрд руб. Размер взяток, в которых обвиняют Сатюкова, в два раза больше — 5 млрд руб. Конфисковано имущество экс-главы отделения киберполиции России на 2,5 миллиарда
Это всего лишь заводы по конечному производству микропроцессоров, оперативной памяти, NVME дисков, и так далее. Станки для этих заводов делают 10 других фирм, со своими капитальными вложениями в науку и разработку. Только одна из этих фирм, ASML, тратит от 4 до 5 миллиардов евро в год на научные и опытные работы (НИОКР, R&D). Причем ASML не сама производит «все» - она, в свою очередь, закупает компоненты по всему миру – лазеры у одних, зеркала у других.
Для тех, кто мало читал, что это за такие нанометры, напоминаю ситуацию. Лет, примерно, 15, назад, физический прогресс в серийном производстве станков для производства кристаллов микросхем (степперов) остановился. Физика, точнее оптика дошли до предельного размера – оптика 193 нм, 38 - 22 нм на элемент. И то, еще вопрос на какой элемент, и как это все считать. Совершенствование других элементов шло, но именно нанометры стали маркетинговым, а не техническим понятием. Это хорошо видно в линейке AMSL - Технология: deep ultraviolet (DUV), источник света: argon fluoride laser - 193 nm TWINSCAN NXT:1470. wavelength - 193 nm; Resolution – 57 nm TWINSCAN NXT:2150i. wavelength - 193 nm; Resolution – 38 nm Технология: Extreme ultraviolet (EUV), источник света – лазер на олове, laser-driven tin (Sn) plasma, производства лазера – Cymer. Первые поставки прототипов – 2006 год, первая серийная поставка – 2018 год, запуск – 2019 год. TWINSCAN NXE:3400C. EUV light wavelength - 13.5 nm; Resolution - 13 nm; 7 and 5 nm nodes TWINSCAN NXE:3600D. EUV light wavelength - 13.5 nm; Resolution - 13 nm; 5 and 3 nm Logic nodes TWINSCAN NXE:3800E. EUV light wavelength - 13.5 nm; Resolution - 13 nm; 2 nm Logic nodes
У Китая в 2023 году случился очередной прорыв, или удар от Европы в спину США – STMicroelectronics, американо-французско-итальянская фирма (Thomson Semiconducteurs of United States/France и SGS Microelettronica of Italy) собрались организовать производство MCU на 40 нм технологии. STMicroelectronics не новички в бизнесе – их технический процесс (не станки) позволяет производить 180, 130, 90 и 65 нм чипы. Были бы сами станки – а они есть, SMIC уже делает, в каком-то объеме, линии на DUV, и разрабатывает технологию laser-induced discharge plasma (LDP), которая, может, будет лучше чем laser-produced plasma (LPP) у ASML. Может, не будет.
Но, пока что Huawei в мае 2025 запустил предзаказ на ноутбуки на «целиком своем» процессоре Kirin X90. Производительность «вроде ничего», хотя ценник весьма не гуманный.
* их определить легко: Ноль статей по обсуждаемой теме, Ноль комментариев по теме до того, как они начинают мне пересказывать текст из ссылки в моей статье, Уровень знаний по теме - отсутствующий, путают Боинг с Теслой, и сервер с системой хранения данных (в зависимости от статьи) в 100% случаев видят русофобию, в произвольном месте
На фоне радостных историй занедорого, и регулярного склероза у «сделаноунас» стоит немного вспомнить историю.
Ноябрь 2006. AMD продает оборудование Fab 30 (Дрезден) в Россию, а точнее в Ангстрем. Старое оборудование – 130 нм технология, 200 мм пластины. В связи с переходом на 65 нм и 300 мм пластины.
Цена названа не была, оценка была от 190 до 300 миллионов тогдашних долларов только за эту фабрику, а всего разговор шел о сумме порядка 815 миллиона евро, или 1200 миллионов долларов. В кредит.
Advanced Micro Devices Inc. is planning to sell its 130 nanometer production equipment to one of the Russian semiconductor manufacturing companies. This step comes as a result of the company's move to 65 nanometer process at its Fab 30 located in Dresden, Germany. The company is also moving from using 200 millimeter silicon wafers to 300 millimeter wafers at the same time. AMD to sell old equipment to Russia company
Чтобы точнее представить уровень цен, соседний завод пластин, а не завод чипов, обошелся AMD в 2.4 миллиарда долларов.
Dresden's new chip factory, to be named Fab 36, is California-based Advanced Micro Devices' second plant in this city of Baroque splendor and is expected to create some 1,000 jobs over the next three years. AMD's decision to invest in Dresden, located in the state of Saxony, further buffs the region's reputation as a high-tech magnet and economic success story, in sharp contrast to the rest of eastern Germany. Silicon Saxony: Chip Factory Brings High-Tech to Dresden
Летом 2007 оборудование начали готовить к транспортировке в Россию, вместе с постройкой нового завода, через известную фирму M+W Zander.
Основная продукция, которую планируется выпускать на предприятии по технологии 0,18 мкм, это смарт-карты, RFID-чипы и ID-чипы.
К 2008 пошли запросы про разрешение получить сразу и разрешение и оборудование для 90 нм
However, the deal between AMD and JSC Angstrem is not done. Soukhaparov also stated that the company is negotiating with the U.S. and EU governments to win approvals to import 90 nm processing technology as well. The executive expects that the 90nm deal could close in couple of years and AMD will continue to supply JSC Angstrem with 90nm equipment from Fab 36, resulting in additional revenues for AMD.
В июле 2008 что-то собирались завозить в РФ, и планы запуска были поставлены на осень 2009 года.
В том же, 2008, году, на Ангстреме сменился генеральный директор, но планы на 0.13 мкм (130 нм) так и стояли – до конца 2009 года:
Всеволод Вуколов 16 июня был назначен генеральным директором микроэлектронного концерна «Ангстрем». На этом посту ему предстоит создать производство микрочипов с топологическим размером 0,11–0,13 мкм, запуск которого намечен на конец 2009 г, рассказали CNews в пресс-службе.
В ноябре 2008 что-то на Ангстреме пошло не так:
Как стало известно CNews, акционеры концерна «Ангстрем» расстались с генеральным директором Всеволодом Вуколовым, пришедшим на эту должность менее полугода назад из аппарата правительства. Кроме того, «Ангстрем» покинула и вновь созданная Вуколовым команда топ-менеджеров.
К 2009 ничего так и не запустилось, и в 2010 пошла замена руководства в многочисленных Ангстремах – их больше одного, классика – ООО, ААА, ЫЫЫ:
Акционеры российского производителя микрочипов - ОАО "Ангстрем" - практически полностью поменяли состав совета директоров. Из него ушли председатель СД "Ангстрема" и бывший заместитель министра информтехнологий и связи Дмитрий Милованцев и заместитель генерального директора "Телекоминвеста" Григорий Цуприк. Обновленный совет директоров назначил генеральным директором компании Алексея Таболкина, а бывший гендиректор предприятия Валерий Дшхунян теперь возглавит совет директоров. Милованцев и Цуприк ушли из "Ангстрема"
К 2011 лучше не стало:
На 9 мест в совете директоров «Ангстрема» было номинировано 10 кандидатов. Свои места сохранили зампред Внешэкономбанка Анатолий Балло, гендиректор ЗАО «Концерн Центр «Информатика и Электроника» Валерий Дшхунян, гендиректор ОАО «Российская электроника» Андрей Зверев и глава «Ангстрема» Алексей Таболкин. «Ангстрем» входит в одноименную группу наряду с ОАО «Ангстрем-М», ОАО «Сборочное производство «Ангстрем», ОАО «Ангстрем-Т» и «НПО Ангстрем».
Завод при этом не простаивал, но речь про 130 нм, и планах на 90 нм, уже не шла. Потому что оборудование так и лежало на складе в Германии.
В 2010 году компания выпустила 107 млн интегральных микросхем и изделий в сборе, увеличив в 1,8 раза показатель 2009 года. Также в прошлом году в 2 раза увеличилось общее количество продаваемой на экспорт продукции кристального производства – до 102,7 млн штук.
В 2012 году Ангстрем тоже работал, но и про «ура прорыв запустили 130» тоже речи не было.
Согласно Годовому отчету ОАО «Ангстрем», в 2012 году продолжился рост выручки предприятия, которая по итогам года составила 3 060 млн. рублей. (1987 млн. руб. в 2011 году). Выручка от реализации продукции составила 694 млн. рублей и от выполнения опытно-конструкторских работ — 2 170 млн. рублей. По итогам 2012 года ОАО «Ангстрем» показало чистую прибыль в размере 61,106 млн. рублей. «Ангстрем» и «Концерн Радиоэлектронные технологии» отчитались за 2012 год
сроки постройки завода, даже не запуска линии, постоянно сдвигались - с 2008 на 2013 год.
В начале 2012 г. "Ангстрем-Т" заявил, что предприятие выбрало подрядчика для строительства - им стала российская компания "Рамос". Строительство было запланировано на май 2012
И позже:
В Россию же оборудование AMD попадет еще не скоро. Сейчас в Зеленограде идет монтаж электроподстанции и производственных цехов. Затем по плану в марте 2013 г. немецкая компания M+W Zander должна начать монтаж чистой комнаты, куда уже можно будет завозить оборудование. За свои услуги по хранению и доставке оборудования Runica Investments получит от «Ангстрем-Т» 17,5 млн евро. «Ангстрем» застраховал оборудование AMD на 180 млн евро
Осенью 2012 Ангстрем подписал соглашение в IBM по 90-нм линии. В российских новостях это продавали как:
Корпорация IBM заключила соглашение с зеленоградскими предприятиями НПО «Ангстрем» и «Ангстрем-Т» о лицензировании технологии производства интегральных схем с топологическими нормами 90 нм... В 2012 г. «Ангстрем» лицензировал для данной фабрики технологию IBM, позволяющую модернизировать производство до более современной технологии 90 нм.
Для иностранной прессы было другое мнение:
Through the first agreement, IBM has licensed Angstrem integrated circuit technology of the topological size of 90nm. With the license, Angstrem plans to manufacture microelectronic devices such as chips and sensors for use in the industrial and consumer sectors. Besides the license for the use of the technology, Angstrem will receive design rules from IBM required for contract manufacturing organizations so that the company will be able to offer "Smart Foundry" services to Russian and foreign customers. Alexey Dianov, Director of PR Department "Angstrem" company group
Осенью 2014 сроки запуска линии (Twinscan XT1250) сдвинули уже на январь 2016. (Коммерсант) Осенью 2015 даже «сделано у нас» торжественно публиковало (с фото), что «уря уря монтаж идет» по Twinscan XT:1250, и добавляло сладких мечт, может быть, получить Twinscan XT:1250i .
В 2016 году Ангстрем-Т опубликовал очередной отчет по РСБУ: Выручка «Ангстрем-Т» в 2016 году составила 56,6 млн руб., чистая прибыль — 10,09 млн руб. В 2017 году прибыль упала до 2,7 млн руб В 2018 – убытки 478,1 млн руб В 2019 – убытки 1,1 млрд руб В 2020 – убытки 693,7 млн руб. Все это время: ни официального запуска 130 нм линии, ни чипов.
С августа 2017 года начались подачи исков по долгам Анстрема, еще в 01 апреля 2017 года был подан запрос на оценку «что там на Анстреме», В том числе: ASML PAS5500/400B. Лазер 365 нм, модель из середины 90х, модельный ряд с 1991 года ASML PAS5500/400C ASML PAS5500/700B. Лазер 248 нм, модель из конца 90х. ASML PAS5500/750E ASML PAS5500/800B ASML Twinscan XT1250D. Этот поновее, модель из начала 00, с патчами.
После 2017 года ни о каких 130-90-65 нм на Ангстреме речь уже не шла.
Тут можно было бы сделать табличку, технологии лазера / длина волны от лазера / технологии в нанометрах, но мне лень.
Тем временем в замке Шефа
Тем временем в замке Шефа
На втором российском производстве – Микроне, к уже бывшей 180 нм линии, в 2010 году купили линию 90 нм (все там же, ST - STM - STMicroelectronic). В 2012 ее запустили, в 2014 году вышли на серийное производство оперативной памяти и не только, в общий доступ попали фото 16Mbit SRAM 1663RU1. Линия на 200 мм, точнее , 8 дюймовых, пластинах. Даже делали Эльбрус – но Эльбрус-2СМ (1891ВМ9Я), 300 МГц, без Elcore-09. Может быть, что там же делали и Эльбрус-S и МЦСТ-4R, оба – очень специального назначения, очень малыми партиями.
А не замахнуться ли нам на Вильяма, понимаете ли, нашего Шекспира.
Тогда же, в 2014 году, на Микроне стали собираться перейти от 90 нм к 65 нм. К 2015 году даже что-то разработали, но на 2022 год это все так и осталось на уровне «как-то так», цитата
Сейчас у нас есть PDK [Process Design Kit — правила проектирования для дизайн-центров от конкретной фабрики] уровня 250нм, 180нм, 90нм, — сообщила Карина Абагян, директор по стратегическому развитию „Микрон“ На вопрос слушателя о том, как обстоят дела с технологией 65 нм на «Микроне» — «На сайте Микрона указано, что технология 65 нм „в разработке: проходит квалификацию и освоение в производстве“, это длится уже много лет» — представитель завода ответила, что для полномасштабного запуска этой технологии «Микрону» необходим новый фаб, работающий на пластинах диаметром 300 мм. Существующее производство действует на 200 мм пластинах — для них технологии 65 нм проверялись только на уровне R&D, в качестве подготовки к переходу на пластины 300 мм. Микрон» и «Ангстрем» предложили проектировщикам чипов ориентироваться на отечественные фабрики. Для этого им нужно «вернуться назад
Так что «до 90, но скорее на 180, не кашляйте». Процент выхода годных чипов, конечно, никто писать не будет.
Список фабрик и установок, конечно, не исчерпывается Микроном и Ангстремом, но и "тихналохии" не ограничиваются нанометрами.
Как тут не вспомнить уже классику из 2022:
Примерно опишу мыслительный процесс позитивно (патриотично) настроенных граждан.
Оборудование можно сделать и самим, но пока можно и просто привезти серым импортом. Оборудование выглядит примерно как большой ящик с дырками, включённый в розетку; в одну дырку складываешь кремний, в другую заливаешь фоторезистор. Под третью дырку надо подставить ведро - в него будут ссыпаться чипы. Вёдра мы делать умеем (хотя и импортируем сейчас, но чертежи-то остались), фоторезистор научатся намешивать в Зелинограде; с кремнием разберемся, не всё сразу. Надо ещё заранее заказать в Китае переходник с европейской розетки на нормальную - лучше сразу 3 или 4, они постоянно горят. Вроде все ясно. И надо ещё 3 или 4 росгвардейца, чтобы ведро не сп%здили.
Чтобы вывезти оборудование, надо дать денег охраннику на заводе чипов в Европе, чтобы он аккуратно отключил от розетки и выволок ящик к проходной. Будет немного поцарапанный - ничего, покрасим. Денег надо дать в пятницу вечером, чтобы они до понедельника не спохватились. Грузовик лучше взять в аренду прямо в Европе (у наших все шины китайские), а потом не возвращать - у нас сразу появятся и чипы и бесплатный грузовик. На грузовике потом можно будет возить кремний.
Там какой-то типа модуль с гпс и электронный ключ. Но мы его хакнем, это не может быть сложно. У меня вот была программа которая выдавала ключ для Windows в 2001 году ещё. И другая для Симсити. Могу даже поискать.
Саппорт разумеется не нужен, зачем - это же просто ящик с тремя дырками. Ну там может какой-то тумблер ещё есть: налево - сыпятся cpu, направо - карты памяти, это можно просто попробовать и понятно будет. Если перестанет работать, то надо просто открыть (гарантия всё равно тютю) и если что-то болтается - подтянуть, где скрипит - смазать, это вам любой инженер скажет. Иногда надо термопасту менять, конечно. Но я вот менял сам, ничего сложного.
Так что не надо негатива. Надо просто засучить рукава и делать.
В комментариях запросили интересные цифры скорости работы отдельного транзистора. И они нагуглились. СССР, 1970-е. Серия К1500 . типовое время задержки 0,75нс. Изготовлены по планарно-эпитаксиальной технологии с диэлектрической изоляцией "Изопланар-2" на пленках n-типа толщиной 1,5 мкм. http://www.155la3.ru/k1500.htm
США, конец 90х. Intel Pentium 2. 0.25 нм. The continued scaling of transistors for speed improvement in 0.25μm process technology achieves gate delays for n-channel and p-channel transistors of 3.5 and 7.8 psec https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents...
Технологии 10 летней давности: 20 January 2017 Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths The gate delay of our. 10-nm CNT CMOS FETs can be reduced to 62 fs. (for n-type FETs) https://materias.df.uba.ar/l5a2017v/files/2017/02/transistor...
Размеры меньше 5 физических нм на кремнии уже под вопросом: Scaling of silicon (Si) transistors is predicted to fail below 5-nanometer (nm) gate lengths because of severe short channel effects. https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27846499/
Но что-то пишут не по русски: Semiconductors with low dimensions have been presented when field-effect transistors (FETs) using silicon as a channel material approach their limits related to scale. Recently, 5 μm gate length selenium nanosheet FETs have been experimentally fabricated. An approach called ab initio quantum transport is implemented in this work to investigate the efficiency of sub-5 nm gate length gate-all-around (GAA) selenium nanowire FETs. The performances of the sub-5 nm gate length n-type GAA selenium nanowire FETs are superior to those of the p-type ones. Given the negative capacitance technology and underlap, the efficiency of 1 nm gate length n-type GAA selenium nanowire FETs could meet the benchmarks of the 2013 ITRS concerning usage related to high performance (HP) and low power (LP) in the perspective of 2028. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsanm.3c00727
Для ЛЛ: нанометры – это про стоимость изделий, а не только про скорость или космическую магию
В старом тексте про то, что «российский» (по факту скорее белорусский) станочек для микросхем с характеристиками «350 нм», стоящий на складе под чехлом, без расходников, без трафаретов, без персонала, без помещения для установки, скорее всего сгниет так же, как сгнили станки, купленные в 2006 у AMD, появился комментатор с мнением вида «350 нм – то, что надо для космоса, военных, электроники автомобилей, и стиралок». Не знаю, кто и почему не оплатил нормальную консультацию, почему в методичке пишут
а также микроэлектроника для космоса (радиационно стойкие чипы) и военных - как раз и делается вот по таким вот "чугунным" техпроцессам .. профильные издания утверждают..
В чем-то авторы методички правы, для стиралок с двумя реле, как на советской Вятка-автомат (лицензия Candy, Италия), не нужен даже такой. Механического реле времени достаточно. Для механической системы зажигания достаточно правильно выставленного угла опережения зажигания в трамблере. Там из электроники нужен только импульсный повышающий трансформатор, он же катушка. Хватит даже магнето. Дальше начинаются нюансы.
Во первых, и это не секрет «специальная» электроника для космоса существует. Во вторых, и это тоже не секрет, на Марсе успешно отработал (отлетал свое) вертолет Изобретательность (Ingenuity), внутри которого стояла масса бытовой электроники: Процессор Qualcomm Snapdragon 801 из 2013 года, технология 28 нм. Инерциальный датчик Bosch BMI-160 Измеритель углов (инклинометр) Murata SCA100T-D02 Датчик высоты Garmin LIDAR Lite v3 И два радиационно стойких контроллера полета (кто напишет в комментариях какие, тот не лентяй)
Если посмотреть историю, то окажется, что - Американские военные не очень беспокоились про «радиацию», поскольку у ядреной бомбы поражающих факторов хватает и без этого. Беспокоились про световое и ЭМ излучение, самолеты красили в белый, от электромагнитных волн экранировали, но в остальном, после принятия в конце 1970-х, программы «давайте экономить», не помню чтобы как-то специально рассуждали на тему «уууу, радиация».
В 1965 появилась технология Silicon-on-Sapphire, а точнее сразу две - Silicon on Sapphire (SOS) и Closed COS/MOS Logic. Процессор (по современным меркам даже не часы) RCA 1802 выпускался с 1976 по 2022 год, несмотря на свою «отсталость». У Silicon on Sapphire хватает преимуществ, и это не только «радиационная стойкость». Американские Шаттлы до модернизации летали на новых Intel 8086 и RCA 1802 . Обсуждать Шаттлы начали в 1967 году, проектировать в 1970, Intel 8086 вышел в 1978, первый полет Шаттла – 1981 год. Intel 80286 вышел только в 1982. Но, память Шаттлов делали на ферритах, для защиты памяти от радиации.
Космический телескоп Хаббл запустили в 1990 году. Изначально там стоял бортовой компьютер «из 1980х» - Rockwell DF-224. В 1993 году туда прикрутили Intel 80386, в 1999 – Intel 80486. Отказоустойчивость обеспечивалась очень просто – на борту Хаббла было два Rockwell DF-224, в каждом по три компьютерных ядра, тройной набор памяти, итд. В 1995 году появился компьютер IBM RAD 6000, выпущенный с тех пор огромным (по меркам космоса) тиражом в 200 штук. Технология самого процессора 500 нм. Что скрывается за термином «радиационно-стойкий», сразу не сказать, там не одна технология. Стоит, с учетом инфляции, порядка 300 тысяч долларов за компьютер в сборе. В 2001 году ему на замену пришел бортовой компьютер от BAE Systems Electronics, Intelligence & Support модели RAD750, выпускавшийся по 250 и 150 нм технологиям. Это почти тот же IBM, просто часть IBM продали в Loral, Loral был куплен Lockheed Martin, и затем их продали BAE Systems. Тираж на текущий момент – примерно 150 штук. Не тысяч. Просто штук. В космонавтике с 2005 года.
В 2016 (или 2015) был представлен Bae RAD5500. Технологии 45 нм. По гражданским запускам пока информации нет.
Заключение
Как только кто-то начинает говорить, что «большие нанометры это хорошо для космоса» - это значит, что человек или вообще не разбирается, и не хочет разбираться в предмете, или озвучивает методичку «тяжесть это хорошо, тяжесть это надежно». В космосе есть и 45 нм, и 28 нм. В космосе используют радиационно-стойкую электронику. Это комплекс мер, включая специальный дизайн, материалы, удвоение и утроение элементов и систем, а не «просто нанометры».
