Продолжение поста «Реальные возможности российской микроэлектроники – 180 и 350 нм»
В комментариях запросили интересные цифры скорости работы отдельного транзистора.
И они нагуглились.
СССР, 1970-е. Серия К1500 . типовое время задержки 0,75нс. Изготовлены по планарно-эпитаксиальной технологии с диэлектрической изоляцией "Изопланар-2" на пленках n-типа толщиной 1,5 мкм.
http://www.155la3.ru/k1500.htm
США, конец 90х. Intel Pentium 2. 0.25 нм. The continued scaling of transistors for speed improvement in 0.25μm process technology achieves gate delays for n-channel and p-channel transistors of 3.5 and 7.8 psec
https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents...
Технологии 10 летней давности: 20 January 2017
Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths
The gate delay of our. 10-nm CNT CMOS FETs can be reduced to 62 fs. (for n-type FETs)
https://materias.df.uba.ar/l5a2017v/files/2017/02/transistor...
Размеры меньше 5 физических нм на кремнии уже под вопросом:
Scaling of silicon (Si) transistors is predicted to fail below 5-nanometer (nm) gate lengths because of severe short channel effects.
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/27846499/
Но что-то пишут не по русски:
Semiconductors with low dimensions have been presented when field-effect transistors (FETs) using silicon as a channel material approach their limits related to scale. Recently, 5 μm gate length selenium nanosheet FETs have been experimentally fabricated. An approach called ab initio quantum transport is implemented in this work to investigate the efficiency of sub-5 nm gate length gate-all-around (GAA) selenium nanowire FETs. The performances of the sub-5 nm gate length n-type GAA selenium nanowire FETs are superior to those of the p-type ones. Given the negative capacitance technology and underlap, the efficiency of 1 nm gate length n-type GAA selenium nanowire FETs could meet the benchmarks of the 2013 ITRS concerning usage related to high performance (HP) and low power (LP) in the perspective of 2028.
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsanm.3c00727