SanDisk продвинулась в разработке экспериментальной 3D Matrix Memory — новой архитектуры памяти, которая в перспективе должна занять место между традиционной DRAM и более медленной NAND-памятью.

На Investor Day 2026 технический директор SanDisk Alper Ilkbahar сообщил, что компания уже изготовила первые прототипы на стандартных 300-мм кремниевых пластинах, упаковала тестовые чипы и продемонстрировала работающие массивы объёмом в несколько гигабит. По словам SanDisk, их производительность уже приближается к целевым характеристикам будущего продукта.

Главная идея технологии — уйти от традиционной плоской архитектуры DRAM.

В современной оперативной памяти ячейки в основном масштабируются в плоскости кристалла. Но уменьшать их становится всё сложнее и дороже: техпроцессы приближаются к физическим и экономическим ограничениям.

3D Matrix Memory предлагает строить память вертикально, располагая несколько активных слоёв друг над другом.

SanDisk изначально поставила очень амбициозную цель: получить DRAM-подобную производительность, до четырёх раз большую ёмкость и примерно 50% стоимости бита по сравнению с DRAM. Причём компания ожидает, что ценовое преимущество будет увеличиваться по мере развития технологии.

Почему это особенно важно сейчас?

Рост искусственного интеллекта резко увеличивает спрос на память. Огромным моделям нужны всё большие объёмы RAM рядом с процессорами, а стоимость современных DRAM и HBM становится одной из ключевых проблем вычислительной инфраструктуры.

3D Matrix Memory может предложить другой путь: вместо бесконечного уменьшения каждой отдельной ячейки увеличивать объём за счёт вертикального масштабирования.

Но сделать это намного сложнее, чем просто сложить несколько обычных DRAM-кристаллов.

При изготовлении каждого дополнительного слоя приходится учитывать температуру процесса, совместимость материалов и риск повреждения уже созданных структур. Именно поэтому SanDisk разрабатывает для 3D Matrix Memory новые типы ячеек и новые производственные процессы.

Проект развивается ещё с 2017 года, а примерно с 2023-го компания начала переводить его из чисто исследовательской стадии в направление, ориентированное на будущую продуктовую реализацию. Разработка ведётся совместно с исследовательским центром imec.

SanDisk также рассматривает подключение такой памяти через стандартные интерфейсы вроде CXL, что особенно интересно для серверов, ИИ-систем и больших пулов памяти в дата-центрах.

Но ждать такую память в обычных ПК в ближайшее время не стоит.

Даже сама SanDisk называет 3D Matrix Memory долгосрочным проектом. Компания пока находится на стадии технологической квалификации и тестирования первых многогигабитных массивов.

Тем не менее важный рубеж уже пройден: технология вышла с маленьких лабораторных образцов на стандартные 300-мм пластины, а работающие прототипы постепенно приближаются к характеристикам будущего продукта.

Если заявленные цели удастся реализовать, следующий большой скачок оперативной памяти может произойти не благодаря очередной DDR, а благодаря переходу из двух измерений в три.

Рынок настольных компьютеров может серьёзно измениться. Вице-президент Intel и руководитель направления продуктов для энтузиастов Роберт Халлок считает, что индустрия движется к своеобразному разделению на два сегмента: дорогие современные платформы для энтузиастов и более доступные, но старые платформы для массового пользователя.

Главная причина — стоимость комплектующих.

Дефицит памяти, связанный в том числе с огромным спросом со стороны ИИ-инфраструктуры, резко ударил по сборщикам обычных компьютеров. В августе 2026 года некоторые популярные комплекты 32 ГБ DDR5-6000 в США достигали примерно $400, хотя раньше подобная память стоила в несколько раз дешевле.

Для компьютера стоимостью $5000 несколько дополнительных сотен долларов могут быть приемлемыми. Но в системе за $700–1000 одно только подорожание оперативной памяти способно полностью разрушить бюджет.

Халлок описывает нынешнюю ситуацию как «историю двух королевств»: премиальный сегмент способен компенсировать увеличение стоимости компонентов, тогда как массовый рынок страдает намного сильнее.

Поэтому старые платформы неожиданно получают вторую жизнь.

Intel прямо говорит, что Raptor Lake останется важной частью её ассортимента ещё много лет. LGA1700 поддерживает DDR4, а компания зафиксировала новый всплеск спроса на эти процессоры именно на фоне высокой стоимости DDR5.

AMD движется похожим путём. В 2026 году компания выпустила юбилейную версию Ryzen 7 5800X3D для AM4, представила Ryzen 7 7700X3D и официально продлила поддержку платформы AM5 до 2029 года.

При этом Intel готовит совершенно новое поколение Nova Lake для нового сокета LGA1954. Сам Халлок подчёркивает, что Nova Lake не сможет удовлетворить абсолютно все сегменты рынка при нынешней ценовой ситуации.

Но это не означает, что Intel уже официально решила одновременно поддерживать два независимых новых сокета — бюджетный и премиальный.

Скорее, речь идёт о другой модели рынка: старые доступные платформы будут жить значительно дольше, а самые свежие архитектуры станут всё сильнее ориентироваться на энтузиастов, которым нужна максимальная производительность.

И такая стратегия может затронуть не только Intel.

Если стоимость памяти, SSD, материнских плат и других компонентов останется высокой, ежегодная гонка за новой платформой для массового пользователя просто перестанет иметь экономический смысл.

Получается довольно необычное будущее ПК: вместо того чтобы быстро отправлять старое железо на пенсию, производители могут продолжать выпускать его годами.

И самым выгодным компьютером нового поколения неожиданно может оказаться компьютер прошлого поколения.

Китайский производитель памяти CXMT — ChangXin Memory Technologies рассматривает строительство второго предприятия по выпуску DRAM в Пекине. Новый завод планируется разместить в районе Ичжуан, примерно в 20 километрах от центра города, где у компании уже работает производство оперативной памяти.

Переговоры пока находятся на ранней стадии. По данным Reuters, CXMT запрашивает не менее 60 млн юаней — около $8,9 млн — государственной поддержки, однако окончательная стоимость предприятия и его производственная мощность пока не определены. Современный завод передовой DRAM может потребовать инвестиций свыше $10 млрд.

И это только часть огромного расширения CXMT.

Сейчас компания располагает тремя крупными предприятиями по производству DRAM — двумя в Хэфэе и одним в Пекине — с совокупной мощностью примерно 300 000 пластин в месяц. Параллельно строятся новые мощности в Шанхае и Хэфэе. После их полноценного запуска общий объём производства CXMT способен превысить 600 000 пластин ежемесячно.

Рост происходит очень быстро. По данным Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года CXMT получила уже около 8% мирового рынка DRAM по выручке, тогда как годом ранее её доля составляла всего 3%. Samsung занимала 38%, SK hynix — 29%, Micron — 22%. Таким образом, три крупнейших производителя вместе контролировали около 89% рынка.

Но именно CXMT сейчас является одним из самых быстрорастущих игроков отрасли: её выручка от DRAM в первом квартале выросла более чем на 700% год к году.

Одна из причин происходящего — глобальный бум искусственного интеллекта. Samsung, SK hynix и Micron активно направляют ресурсы на производство высокоскоростной памяти HBM для ускорителей Nvidia, AMD и ИИ-дата-центров. Одновременно растёт спрос и на обычную DRAM для серверов, ноутбуков, смартфонов и персональных компьютеров.

Для Китая расширение CXMT имеет ещё одно значение — технологическую независимость. Компания становится одним из ключевых элементов китайской стратегии по созданию собственной полупроводниковой промышленности и сокращению зависимости от зарубежных поставщиков.

Незадолго до сообщений о новом пекинском проекте CXMT провела IPO примерно на $8,6 млрд, став крупнейшим размещением полупроводниковой компании на материковом рынке Китая. Полученный капитал создаёт дополнительные возможности для дальнейшего расширения производства.

Если новые предприятия будут введены в эксплуатацию, Китай сможет значительно увеличить собственное предложение DRAM именно в тот момент, когда мировой рынок сталкивается с высоким спросом со стороны ИИ.

Главный вопрос: сможет ли CXMT действительно потеснить Samsung, SK hynix и Micron — и приведёт ли рост китайского производства к усилению конкуренции на рынке оперативной памяти?

Генеральный директор SK hynix Квак Но Джун предупредил, что 2027 год может стать самым тяжёлым годом текущего дефицита памяти. По прогнозу компании, спрос на микросхемы памяти продолжит превышать производственные возможности SK hynix даже после 2030 года.

Одна из главных причин — искусственный интеллект. Современным ускорителям Nvidia, AMD и другим вычислительным системам требуются огромные объёмы HBM — High Bandwidth Memory. Производство такой памяти значительно сложнее обычной DDR5 и требует больше ресурсов и производственных мощностей. В результате производители перераспределяют часть мощностей в пользу более прибыльной HBM, что дополнительно ограничивает предложение традиционной DRAM.

SK hynix пытается решить проблему масштабными инвестициями. Компания расширяет предприятия в Чхонджу и строит новые производственные мощности в крупнейшем полупроводниковом кластере Ёнъин. Сам производитель прямо называет нынешний дефицит и резкий рост спроса одной из причин ускоренного расширения производства.

При этом новые фабрики невозможно построить мгновенно. Производство передовой памяти требует дорогостоящего оборудования, чистых помещений, EUV-литографии и сложных линий упаковки HBM. Поэтому даже многомиллиардные инвестиции могут заметно увеличить предложение только через несколько лет.

Для обычных пользователей эта гонка важна не только из-за серверов. Если производственные мощности продолжают уходить в сторону памяти для ИИ, ситуация может влиять на доступность DRAM для компьютеров, ноутбуков и другой электроники.

Получается необычная ситуация: развитие искусственного интеллекта увеличивает спрос не только на GPU, но и буквально на память для всего мира.

Сможет ли Samsung, SK hynix и Micron нарастить производство достаточно быстро, или рынок действительно ждёт многолетний дефицит?