1971: Представлена многоразовая полупроводниковая ПЗУ
Саймон М. Зе, один из первооткрывателей ячейки изменяемой памяти в Bell Labs
Стираемые пользователем программируемые ПЗУ поддерживают разработку микропроцессорных систем
Ранние интегральные схемы ROM предлагали энергонезависимую форму полупроводниковой памяти (NVM), но требовали индивидуальной маски для каждой конструкции. В 1970 году Radiation Inc. представила 512-битную биполярную TTL-программируемую пользователем ROM (PROM), которая позволяла разработчикам вводить код самостоятельно, «прожигая» металлические плавкие перемычки с помощью внешнего программатора, но могла использоваться только один раз.
Изобретатель EPROM Дов Фроман с чертежами конструкции маски
Monolithic Memories, Motorola и Signetics разработали 1–16-битные никель-хромовые плавкие перемычки PROM. AMD, Intel и TI использовали альтернативные материалы плавких перемычек для достижения более высокой скорости.
В 1967 году Давон Канг и Саймон Сзе из Bell Labs описали, как плавающий затвор полупроводникового устройства МОП можно использовать для ячейки перепрограммируемого ПЗУ. В начале 1970-х годов компания General Instruments из Хиксвилля, штат Нью-Йорк, адаптировала технологию MNOS (металлооксидный нитрид-полупроводник) для создания небольших электрически изменяемых EAROM для ТВ-тюнеров. В 1971 году компания Intel анонсировала 1702, 2048-битную стираемую пользователем PROM (EPROM), разработанную Довом Фроманом, которую можно было использовать многократно, стирая рисунок ультрафиолетовым светом. Поколения УФ-EPROM с многомиллионным объемом памяти от Intel и других компаний нашли широкое применение для хранения и модификации программных кодов в качестве встроенного ПО в системах на базе микропроцессоров.
Кварцевое окно пропускает ультрафиолетовый свет для стирания данных EPROM
Работая в Hughes Microelectronics, Ньюпорт-Бич, Калифорния, с 1976 по 1978 год, Эли Харари продемонстрировал тонкую оксидную плавающую затворную, электрически стираемую ячейку PROM (EEPROM), которая устранила необходимость внешнего стирания ультрафиолетом. Джордж Перлегос использовал технику тонкого оксида для первой EEPROM Intel в 1978 году. В Toshiba в 1980 году Фудзио Масуока модифицировал архитектуру EEPROM, чтобы увеличить скорость программирования, соответственно назвав ее «флэш». Он последовал этому в 1987 году с более дешевой структурой NAND, что привело к появлению твердотельного диска (SSD) и повсеместной USB-флеш-памяти «stick» .
Фудзио Масуока изобрел флэш-память, работая в Toshiba
Toshiba представила коммерческие флэш-продукты в 1987 году, а затем Intel в 1988 году. Одновременно с этими разработками флэш-память нашла широкое применение в таких персональных устройствах, как мобильные телефоны, камеры и навигационные системы GPS.