1.Чем ReadyBoost отличается от "ручного" указания размещать сжоп-файл на флешке ?
2.Кто быстре - ReadyBoost или загон сжоп-файла в "лишнюю RАМ-у" ? (И какие минуы у вторго способа ?)
3.Удавалось ли проделать эти хреновины на WinXP 32бит ?
Если правильно помню, то суть следующая: эта технология работает за счет увеличения файла подкачки, используя память флешки. Технология разработана для Висты и досталась в наследство семерке, на всех остальных ос не работает. Встречал инфу, что пытались использовать костыль (программу) для запуска этой технологии на хрюшке, но работало ли - хз. Да и не в этом суть - даже на висте и семерке, для которых эта хрень создавалась, прирост производительности был ничтожным, проще было оперативы в комп добавить. Потому технология не взлетела и от нее отказались в дальнейшем.
Пы.Сы. Я так думаю, от установки SSD пользы и то больше будет.
Не правильно вы помните. ReadyBoost никогда не был связан со свопом.
ReadyBoost это кэш последних ХХХ файлов. Наглядно: запускаем word - 6 c, закрываем, открываем заново - 2-3 с., потому что закэшировался бустом. Отсюда и отказ от этой технологии в дальнейшем (хотя в 10ке она еще есть), т.к. появились SSD.
WinXP наверно убьет SSD очень быстро.
Или придётся её тюнить очень много.
ЗЫ: я за то, что бы поставить много оперативной памяти
Для любителей экспериментов был еще один вариант, только стоил очень дорого, потому не взлетел
Gigabyte iRam, я так и не купил его.
Сейчас тоже было бы интересно, но подобных девайсов не встречал к сожалению
Встречал в продаже то ли на ебей, то ли на алике. Цена и в момент выхода была ого, а сейчас совсем неадекватная.
Я тоже наблюдал на ebay их.
Сначала не мог себе позволить, ибо помимо контроллера надо ещё и памяти пожирнее купить было. А потом памяти стало много продаваться, а контроллеры исчезли из продажи. И остались лишь аккумуляторы для iRam
WinXP наверно убьет SSD очень быстро.
Это довольно странно сейчас звучит. За N рублей от года к году можно получить всё больший гарантийный ресурс. В 10+ раз больше, чем когда SSD пошли в массы и их старательно берегли.
Если полениться настраивать, всё равно можно оставить неразмеченное место в качестве дополнительного overprovisioning'а: XP не умеет в Trim => с точки зрения SSD он однажды будет выглядеть заполненным на 100%. Оставляем неразмеченным* 30% => SSD ведёт себя как заполненный не более чем на 70%.
* если там что-то лежало раньше, надо как-то вызвать один раз Trim (из другой ОС хотя бы).
За N рублей от года к году можно получить всё больший гарантийный ресурс.
Поздравляю, вы стали жертвой маркетинга, т.к. с точностью до наоборот. Посчитайте сколько раз можно было полностью переписать диски на SLC, TLC и новомодном QLC.
Так вот тот же samsung evo (TLC) - 600 раз, samsung qvo (QLC) - 360 раз, тарапапа-а, пиу! Могу ошибаться, но диски на SLC позволяли переписывать около 10 000 раз.
- Количество рублей в условии постоянное. TLC дешевле, поэтому на ту же сумму покупается SSD большей ёмкости, ресурс растёт вместе с ёмкостью.
- Я говорил о гарантийном ресурсе, можно заметить, что у SSD одинаковой ёмкости на 2D MLC и 3D TLC он примерно одинаков. Наверное, потому что и ресурс флеша примерно одинаков: "Both 15nm 2D MLC NAND and 3D TLC NAND provide 3,000 endurance cycles" - http://media.futureelectronics.com/PCN/64989_SPCN.PDF.
"ресурс растёт вместе с ёмкостью."
Важное уточнение, про которое маркетологи и молчат. Растет, если ей не пользоваться. Еще раз пересчитайте сколько раз в цикле вы можете полность переписать хард.
Количество циклов у ячеек, как вы правильно написали одинаково, но при полном забитии харда ячейка TLC будет переписана 3 раза, QLC - 4 раза. Ресурс то одинаков, а вот количество изменений разное.
Соответственно, чтобы получить маркетинговые данные по TBW, вы должны использовать не более 1/3 диска для TLC и 1/4 для QLC
То есть с ростом ёмкости ресурс растёт в абсолютном выражении (TBW - всего терабайт записи), а очевидно не в относительном (DWPD - перезаписей в день), если поправить вашу мысль. Маркетологи об этом не молчат, обычно указывают TBW. Относительный ресурс нам не важен, у нас одна ОС и один набор программ, которые дают одинаковое количество записи и на 60 ГБ SSD, и на 1 ТБ SSD.
Вы совсем запутались в конспирологии, под циклом подразумевается полная запись и стирание, иначе бы количество циклов для SLC/MLC/... памяти заявлялось одинаковое.
При чем тут день/не день?
Есть ячейка, у нее есть ресурс перезаписей 3к циклов. Вы не можете в ячейке заменить 1 бит из 3 не переписав ее полностью.
Ячейка хранит 3 бита.
Записали 1 бит, осталось 2999
Записали 2 бит, осталось 2998
записали 3 бит, осталось 2997
Итого, у ячейки осталось 2997 циклов запись-перезвпись.
Теперь то же самое для SLC(одна ячейка, один бит):
Записали 1 бит в 1 ячейку, у нее осталось 2999
Записали 2 бит во 2 ячейку, у нее осталось 2999
Записали 3 бит в 3 ячейку, у нее осталось 2999
Общий ресурс по ячейкам: 2999
Как только осознаете эту простую вещь сразу все станет на свое место. Да вы можете получить маркетинговые ТBW, за счет трима, если будете хранить только 1 бит в 3х-битовой ячейке
Производители могут указывать ресурс в TBW или в DWPD, в просто "полных перезаписях" не указывают. Так договорились. Не важно, их можно переводить друг в друга - https://www.kingston.com/ru/ssd/dwpd
Дальше идёт полная чушь, почему вы не можете открыть какую-нибудь литературу про флеш-память?
Вы не можете в ячейке заменить 1 бит из 3 не переписав ее полностью.
Да, но его не нужно заменять.
Записали 1 бит, осталось 2999
Нет, мы же ещё не стираем, зачем вы игнорируете мои слова "под циклом подразумевается полная запись и стирание"? Вот определение program-erase cycle, которое стандартнее некуда - https://www.jedec.org/standards-documents/dictionary/terms/p...
Записали 2 бит, осталось 2998
Нет, мы же всё ещё не стираем. Вот тут на 11 слайде показано, как это работает - https://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Procee...
Да вы можете получить маркетинговые ТBW, за счет трима, если будете хранить только 1 бит в 3х-битовой ячейке
Без комментариев.
Нет, мы же ещё не стираем, зачем вы игнорируете мои слова
Очевидно же что подразумевается когда ячейка уже занята, целиком и полностью. Зачем в контексте запись-перезапись рассматривать вариант с пустой, заводской ячейкой?
TBW или в DWPD,
Еще раз, при чем тут "день\не день"?
Да, но его не нужно заменять.
Кого заменять? Еще раз, вы в 3х битовой ячейке меняете сначала первый бит, потом второй, потом третий, ПО у вас сначала пишет 001, задумывается, потом 011, задумывается снова, потом 111. Ну или три программы log, БД и PHP, каждый хочет записать по 1 биту, с разницей в 10 минту, в одну ячейку.
Сколько циклов записей будет для ячеки?
Нет, мы же всё ещё не стираем. Вот тут на 11 слайде показано, как это работает - https://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Procee...
На 11 слайде этап a это что?
О хоспаде, на слайдах и написано то о чем говорю:
Слайд 8-9:
SLC: 2 States (1 Erase + 1 Pgm)
MLC: 4 States (1 Erase + 3 Pgm)
TLC: 8 States (1 Erase + 7 Pgm)
На всех слайдах (10,11, 13), первым этапом (a) идет стирание (не игнорируйте это) и только потом запись (b, c), стрелочки даже нарисованы от erase
А теперь расскажите мне, как вы без стирания поменяете скажем третий или четвертый бит в ячейке? Вы не можете взять и долбануть просто 3-7 Pgm, там даже об этом написано текстом:
Data is programmed to the device one page at a time
Данные программируются на устройство по одной странице за раз
Очевидно же что подразумевается когда ячейка уже занята, целиком и полностью.
Очевидно, теперь её можно изменить только стерев весь блок (~мегабайты).
Еще раз, при чем тут "день\не день"?> Не важно
Это значит "ни при чём".
Сколько циклов записей будет для ячеки?
Ресурс измеряется в циклах записи-стирания, их ещё ноль. Циклы записи - новое слово в науке.
Ресурс измеряется в циклах записи-стирания, их ещё ноль. Циклы записи - новое слово в науке.
Все ваши слайды, начинаются с erase.
1. Записали в ячейку первый бит. Считали - все ок. в ячейке лежит 001.
2. Хотим записать второй бит. Смотрим слайды и, повторяю вопрос, еще раз, как мне записать второй бит в ячейку Q(T)LC не проводя erase?
Слайды начинаются с того, что у нас имеется пустая ячейка. Ну пусть будут циклы стирания-записи, а не записи-стирания, какая к чёрту разница. Тогда после полной записи ячейки у нас будет один чёртов законченный цикл.
как мне записать второй бит в ячейку Q(T)LC не проводя erase?
Там нарисовано "взять и записать". Взять и добавить заряд небольшими импульсами. Добавлять можно, убавлять нельзя (можно только стирать блок).
Слайды начинаются с того, что у нас имеется пустая ячейка.
Чета у меня видать другие слайды открываются, потому что на 10-11 слайде которые Incremental Programming и MLC Two-Pass Programming
первым шагом идет erase. Всегда, эрайс.
Взять и добавить заряд небольшими импульсами.
Какое нафиг небольшими? Там на оси НЕ время, а напряжение... Vth
Вы делаете Erase, пишете Upper Page, пишите Lower Page - все ячейка записана. Вы не можете без erase изменить ни Upper, ни Lower. Еще раз, об этом даже текстом написано:
Data is programmed to the device one page at a time
Чего вы пытаетесь добиться? Вы не можете прочитать два слайда на техническом английском, но старательно пытаетесь мне объяснить, что же на них написано. Забавно, но мне надоело.
Erased state - стёртое состояние. Не стирание, не глагол. Потому что стираем кучу страниц за раз (7 страница), а не перед записью каждой очередной страницы.
Большими или небольшими, но 10 страница, там нарисован алгоритм. Сколько на практике, я не знаю. Пишут, есть "быстрые" ячейки, есть "медленные", так что для разных ячеек требуется разное количество для достижения одинакового напряжения.
Вы делаете Erase, пишете
UpperLower Page, пишитеLowerUpper Page - все ячейка записана.
Как я и написал:
Тогда после полной записи ячейки у нас будет один чёртов законченный цикл.
Так вы очень медленно, но верно убедились, что это один цикл стирания-записи. С вас 5000 рублей.
Если вы можете получить erase state без проведения erase, если вы упорно игнорируете все "An individual page cannot be erased", инорируете то что по оси абсцисс не время а напряжение Vth, игнорируете что команда записи одна (состоящая из UP и LP), то взаимно:
Забавно, но мне надоело.
До вас невозможно донести мысль, что SSD устроен не так, как вы представляете. Например:
Ну или три программы log, БД и PHP, каждый хочет записать по 1 биту, с разницей в 10 минту, в одну ячейку.
Сколько циклов записей будет для ячеки?
На SSD будет послана команда записи как минимум логического сектора (512 байт или 4КБ). Запись будет приходиться на разные страницы памяти (см. Flash Translation Layer) и поэтому о судьбе одной ячейки мы говорить не можем. Старые страницы для будущей сборки мусора будут помечены неактуальными. Зато можем сказать, что произойдёт большое усиление записи. Логический сектор, деление на блоки и страницы, FTL, сборка мусора, усиление записи, надо начинать с этих понятий. Если через них перешагнуть, получился наша клоунада.
Вы не можете в ячейке заменить 1 бит из 3 не переписав ее полностью.
Видите, мы даже тысячи ячеек записываем из-за одного бита. И как это всё относится к ресурсу MLC/TLC/QLC? Никак, просто вы задавали какие-то вопросы, я на них отвечал, думая, что вы что-то таки понимаете. Мы начали с вашего бредового определения цикла записи-стирания, надо было остановиться и тыкать вас в картинку, спрашивая, почему тогда там разные числа.
под циклом подразумевается полная запись и стирание, иначе бы количество циклов для SLC/MLC/... памяти заявлялось одинаковое.
Пример:
https://www.overclockersclub.com/reviews/kingston_v200_128gb... - $115
https://www.kingston.com/datasheets/SV200S3_us.pdf - 36TBW
Недорогой SSD из 2012 года, 115 долларов за ресурс 36TBW.
Сейчас за 120 долларов продают SSD с ресурсом 1200TBW (в ~30 раз больше):
https://www.newegg.com/western-digital-2tb-sn770/p/N82E16820...
Ну чтож, давайте, я за вас проявлю чудеса арифметики 3 класса средней школы и посчитаю сколько раз вы можете _полностью_ переписать старый SSD и новый.
36TB/120 Гб = 300 раз
1200Тб/2Тб = 600 раз
Ну и где тут 30 раз?
Я сейчас сильно ограничен в интернетах чтобы посмотреть почему у кингстна такой небольшой ресурс, есть подозрение что выбран не самый лучший представитель SLC.
1200 TBW у вас будет только в том случае если вы не превышаете хранение в 500 Гб для QLC и то это если прошивка нормальная и трим работает хорошо.
Есть ещё чудеса логики. Я дал пример в пользу своего утверждения: "за N рублей от года к году можно получить всё больший гарантийный ресурс". Я подразумеваю ресурс в абсолютном выражении и мне кажется очевидным, что это не требует уточнений. Но хорошо, пусть будет относительный. Мы можем "разменивать" ёмкость на относительный ресурс, а вы этого не замечаете и в вашем примере зачем-то требуете роста ёмкости вместе с ростом относительного ресурса.
Если мы не хотим "разменивать" вручную (как предложил я или как на картинке), то можем купить SSD, в котором производитель сам увеличит недоступную пользователю ёмкость ("The 9100 MAX SSDs have upwards of 66% over provisioning").
Это не SLC и не QLC, с чего вы вообще так решили?
Это гарантийный ресурс, после его исчерпания случится невероятное - закончится гарантия (если она ещё действовала). Независимо от качества прошивки и работы Trim. А у реального ресурса зависимость эта имеется как у новых, так и у старых SSD, так что вспоминать о ней не стоило.
Лига Сисадминов
2.5K постов19K подписчиков
Правила сообщества
Мы здесь рады любым постам связанным с рабочими буднями специалистов нашей сферы деятельности.