MOSFET нужен аналог⁠⁠

Подскажи знающие люди как подобрать аналог 190N70H.

1. Открываете даташит (например: https://datasheetspdf.com/pdf-down/V/S/F/VSF190N70HS2-Vangua... )

2. Смотрите характеристики: N-Channel, Vds=700V, Is, Id=20A, корпус TO-220WF и т.п.

3. Ищите либо что-то похожее, либо исходя из особенностей цепи, в которую воткнуто (может там и не нужны 700В, а можно и меньше).

это без нагрузки. запуск идет через r62-64(сейчас), в нормальном режиме - с обмотки транса через D8.

https://vip-cxema.org/index.php/online-raschjoty/393-podbor-...

20 шт подходящих ))))

это без нагрузки. запуск идет через r62-64(сейчас), в нормальном режиме - с обмотки транса через D8.

Оказалось что короткое в самой ШИМ. Снял ШИМ появилось питание 54 в, теперь вопрос как ШИМ подобрать , на родной не смог прочитать номер точно, только первые две цифры и последние, ничего похожего не нашел по даташиту. И что интересно в цепи стоит конденсатор на 35 в, а в цепи 54в. Может его заменить на большее напряжение?

питание шим на с21. А какие ноги и сколько - я волшебник что ли? ))))

Рисовать схему, искать даташиты и т.д.

питание шим на с21. А какие ноги и сколько - я волшебник что ли? ))))

Рисовать схему, искать даташиты и т.д.

Есть ли напряжение на высоковольтном электролите С2? Если мосфет не пробит насквозь, то шимка скорее всего живая. Оптрон ещё может сдохнуть сам по себе, но редко. Короче, мерить напряжения , но осторожно(300 В)!

Есть ли напряжение на высоковольтном электролите С2? Если мосфет не пробит насквозь, то шимка скорее всего живая. Оптрон ещё может сдохнуть сам по себе, но редко. Короче, мерить напряжения , но осторожно(300 В)!

Есть ли напряжение на высоковольтном электролите С2? Если мосфет не пробит насквозь, то шимка скорее всего живая. Оптрон ещё может сдохнуть сам по себе, но редко. Короче, мерить напряжения , но осторожно(300 В)!

оптрон U3 особо не проверишь, как и шимку U2, а вот транзистор и диод - Q7, D4 обязательно прозвонить, как и резисторы(соответствие номиналу) и конденсаторы(на КЗ, хотя бы). Включать в 220 В на испытание блок через 40...100 ваттную лампочку.

Ага 400, там пики до 600 и выше. 700v все правильно. Обленились совсем. Идёшь на сайт чипдип, долбишь в поиск транзистор mosfet. Выбираешь N тип, ставишь фильтр на 700 вольт, дальше подбираешь по току и времени переключения

оптрон U3 особо не проверишь, как и шимку U2, а вот транзистор и диод - Q7, D4 обязательно прозвонить, как и резисторы(соответствие номиналу) и конденсаторы(на КЗ, хотя бы). Включать в 220 В на испытание блок через 40...100 ваттную лампочку.

Толку от замены мосфета, если там обвязка сгорела к херам, в том числе и микросхема ШИМ?

Автор! Покажи фото платы, где стоит мосфет.

Ну вот я написал, на что следует обращать особое внимание, выбирайте. Можно попробовать на сайте Mouser, но придётся через VPN, там выбрать MOSFET N-канал, затем нужный корпус (TO-220FP или если есть возможность поставить теплопроводную подложку и изолирующую втулку на винт, то можно и без FP). Затем подбирать максимальное напряжение Сток-Исток закрытого ключа, максимальный ток стока открытого ключа, мощность, сопротивление открытого канала, порог открытия, входная ёмкость, ну и если важно - выходная ёмкость. Порог открытия важен в низковольтных схемах управления ключами, это обычно в ноутбуках и т.п.

Ну так вот тут и подобрали его. На самом деле нюансов подбора аналогов много. То, о чём обычно все говорят: - бери вон подходящий по току и напряжению..., чаще всего недостаточно. Многие не обращают внимание на очень важные параметры транзисторов: рассеиваемая мощность, сопротивление канала и входная и выходная ёмкости, а также в некоторых схемах - порог (напряжение) срабатывания затвора. При одинаковых указанных рабочих токах и напряжениях, мощность у транзисторов может значительно отличаться. Тоже и сопротивление канала: вроде бы ток и напряжение один в один, а сопротивление отличается, например, у одного 150 мОм, а у другого 190 мОм. Если поставить транзистор с бОльшим сопротивлением открытого канала, то на таком транзисторе в данном устройстве будет выделяться больше тепла, а значит будет больше нагрев транзистора, или всего устройства в целом и системы охлаждения уже могут не справиться. Выходная ёмкость транзистора чаще всего важна для инверторов резонансного типа. А вот входная ёмкость, или ёмкость затвора, это параметр, который влияет на быстродействие транзистора, в первую очередь, ну и также влияет на ток заряда/разряда затвора, который при превышении может вывести из строя систему управления затвором (ШИМ-контроллер или драйвер). Чем больше ёмкость, тем медленнее заряжается затвор, а значит открытие транзистора будет с бОльшей задержкой, а также закрытие, при разряде затвора, тоже будет с бОльшей задержкой. А это может повлиять на устойчивость работы преобразователя, а также может создавать помехи и дополнительные тепловые потери. Также, при бОльшей ёмкости затвора страдает драйвер или ШИМ-контроллер, управляющий затвором, при бОльшей ёмкости возрастают токи заряда и разряда, что приводит к большему тепловыделению в выходных каскадах драйверов или ШИМ-контроллеров, а значит повышается риск выхода их из строя. Малая ёмкость затвора, по сравнению с ёмкостью затвора штатного транзистора тоже может сказаться не в лучшую сторону, могут быть несвоевременные включения/выключения ключа, а также может приводить к дополнительным помехам при переходных процессах.

Кстати, сопротивление канала обратнопропорционально зависит от ёмкости затвора: чем меньше сопротивление - значит больше ёмкость.

Толку от замены мосфета, если там обвязка сгорела к херам, в том числе и микросхема ШИМ?

Автор! Покажи фото платы, где стоит мосфет.