Ответ на пост «Говорят техпроцесс - НЕНАСТОЯЩИЙ!»1
больше уменьшать затвор просто не получалось: он переставал работать барьером, позволяя относительно свободно проходить через себя электронам.
у ключевых МОП-транзисторов затвор никогда не работал и не будет работать барьером. барьером служит подложка, а затвор создает в ней индуцированный канал и ток идет по каналу.
теперь затвор транзистора был не прямой, а имел П-образную структуру, что позволило увеличить его длину и избежать туннеллирования электронов через него.
полная чушь! длина затвора никоим образом не влияет, потому что он изолирован от истока, канала и стока. вторая буква "О" в сокращении МОП означает окисел (SiO2), что является изолятором. даже наоборот, чем длиннее затвор, тем больше его паразитные емкости, что ухудшает время переключения транзистора.
затвор создает область проводимости только в прилежащей к нему части канала. у линейного затвора это всего лишь одна из стен параллелепипеда, а у плавникового затвор охватывает канал с трех сторон и позволяет создать область проводимости в практически всей толщи канала. что позволяет сделать канал в несколько раз меньше при сохранении проводимости канала, а уже уменьшенные размеры уменьшают паразитные емкости и повышают частоту переключения.
Если раньше была хоть какая-то связь между размерами транзистора и его затвора, то с переходом к 3D-транзисторам и FinFET она совсем исчезла.
транзисторы как были объемными, такими и остались. вся эта чушь про 2D и 3D ничем не лучше уменьшения нанометров рекламщиками.
разница в том, что в технологическом процессе с линейными затворами ширина и глубина заметно превышают толщину. транзистор расположен как кирпич плашмя. расположение транзисторов в микросхеме, будь это процессор или память, двухмерное (2D). возвращаясь к кирпичу, кристал как площадь, вымощенная кирпичами плашмя. в технологическом процессе с плавниковыми затворами высота канала заметно превышает ширину. транзистор расположен как кирпич на ребро. сравнение с площадью немного хромает, но суть та же - для площади, вымощенную кирпичами на ребро, потребуется больше кирпичей. то бишь в микросхеме вправду удастся запихнуть больше транзисторов.
чтобы получить настоящее трехмерное (3D) расположение транзисторов, нужно несколько кристаллов приклеить башенкой. например таким образом выполнена 3D-NAND память. можно, конечно, вспомнить "малинку" (Raspberry Pi 2), где память расположена поверх процессора двухэтажной башенкой, но у процессоров подобное расположение пока еще редкость.
