IGBTIQ+⁠⁠

Команда греческих учёных с острова Лесбос, расположенного в Эгейском море, основываясь на современных тенденциях, усовершенствовала старую технологию IGBT транзисторов и представила новую разработку

По заявлениям учёных, управляющий сигнал на входе такого транзистора самостоятельно может менять полярность и выбирать зону насыщения, задне-дырочный переход в этом транзисторе рекомбинирует не только с электронами, но и со всем что попадется под руку. Как ожидается, новинка произведёт революцию в мире попупроводников.