Бельгийцы нашли способ ускорить EUV почти “из воздуха”⁠⁠

Исследователи Imec нашли неожиданный способ ускорить работу EUV-литографии без изменения самих сканеров. Во время стадии post-exposure bake они повысили концентрацию кислорода в атмосфере до 50% и получили рост фоточувствительности металл-оксидных фоторезистов примерно на 15–20%. Это позволяет добиваться нужного рисунка при меньшей дозе EUV-излучения, а значит — либо ускорять процесс, либо снижать энергозатраты.

Ключевое открытие связано с тем, что дополнительный кислород усиливает химические реакции в metal-oxide resists (MOR), которые считаются перспективными для передовых EUV-процессов, особенно high-NA EUV. Работа выполнялась на специальной исследовательской установке Beforce, где можно было изолировать пластину от обычной атмосферы чистой комнаты и точно контролировать газовую среду во время отжига.

Если технология дойдёт до фабрик, производители смогут увеличить производительность линий выпуска самых современных чипов без радикальной модернизации EUV-оборудования. Пока это исследовательский результат, но потенциально он может оказаться очень важным для будущих 2-нм и A16 техпроцессов.