Один электрон хранит целый бит: Китай создал память будущего
Учёные Фуданьского университета в Шанхае продемонстрировали необычное устройство памяти Guiyi, способное хранить один бит информации с помощью всего одного электрона при комнатной температуре.
Это практически теоретический предел для памяти, основанной на электрическом заряде: один электрон соответствует одному биту информации. Для сравнения, современным микросхемам памяти для надёжного различения логических состояний могут требоваться огромные коллективные заряды — в публикациях исследователей приводится ориентир порядка 200 000 электронов для современных DRAM-ячеек.
Главная проблема одноэлектронной памяти всегда заключалась в чрезвычайно слабом сигнале и нестабильности при обычной температуре. Предыдущие эксперименты давали изменение напряжения всего в десятки милливольт, а состояние могло исчезать за считанные секунды.
Команда профессора Чжоу Пэна создала новую двумерную архитектуру Guiyi с графеновым слоем и копланарной структурой drain-channel-source. В эксперименте внедрение одного электрона давало энергонезависимое изменение порогового напряжения примерно на 0,5 В при температуре около 27 °C. Это почти на порядок больше, чем в ранних одноэлектронных устройствах.
Разработка является продолжением исследований команды в области двумерной памяти. Ранее учёные представили сверхбыструю энергонезависимую память PoX и продемонстрировали возможность интеграции подобных двумерных устройств с традиционным CMOS-производством.
В перспективе одноэлектронная память может резко уменьшить энергозатраты на хранение и обработку информации, что особенно интересно для смартфонов, периферийного искусственного интеллекта и больших нейросетей.
Но до массовых устройств ещё далеко. Сейчас Guiyi остаётся экспериментальной технологией. Исследователям необходимо доказать возможность производства миллиардов одинаковых ячеек, долговременную надёжность, скорость перезаписи и совместимость с промышленными технологическими процессами.
Авторы уже рассматривают коммерциализацию разработки в течение ближайших нескольких лет, однако реальные сроки выхода серийных устройств будут зависеть от масштабирования производства.
Сможет ли память, использующая всего один электрон на бит, однажды заменить современные DRAM и NAND?


