W1NCH3ST3R

Здравствуйте, дорогие читатели Пикабу! Не думал, что здесь напишу текст подобного содержания, но некоторых жизнь и не так выкручивает :) Тем паче в планах быть самостоятельным, да и моя девушка на работу гонит, хе-хе)) Хотелось бы, чтобы объявление было повыше, так что для хейтеров Пикабу в стиле "Ищу работу" - коммент для минусов внутри)
Заранее скажу, что мне 20 лет, живу в бывшем Ленинграде, вредных привычек не имею. Проблема моя в том, что хотелось бы поработать с автомобилями... А конкретно, с подкапотным пространством. Тематика сия мне уже давно знакома, технической оснасткой машин интересуюсь и увлекаюсь уже лет пять. Машины люблю даже чуть больше, чем людей) Отличаю двигатель Ванкеля от Дизеля, знаю разницу между коленвалами и распредвалами, а если чего-то и не сведаю, то готов учиться) Правда, пока не имею подобающего образования, но это в планах) До этого работал барменом, монтажником-слаботочником, демонтажником бетонных конструкций, малость программировал на php, но в силу возраста и отсутствующего военника устраивался только по договорам (следственно, и трудовая пуста), чего и сейчас желательно. Голова на плечах есть, руки тоже растут оттуда же) Готов быть поначалу быть помощником, учеником какого-нибудь моториста или автотехника, только бы поближе к двигателям)
Ежели что, заранее благодарен лиге Добра, лиге Техников и иже с ними!) Просто по объявлениям в интернете сложно найти подобное, а знакомств в подобных сферах не имею, надеюсь, что пока)

Компания Crossbar объявила о «достижении ещё одной ключевой вехи, необходимой для вывода на рынок микрочипов хранения данных терабайтной ёмкости». Речь идёт о разработках в сфере энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом — RRAM, или ReRAM. Теоретически микросхемы RRAM способны обеспечивать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с флеш-NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок более высоким числом циклов перезаписи.
Crossbar проектирует память 3D RRAM, архитектура которой предусматривает объёмную компоновку. При этом применяется фирменная технология 1TnR (1 Transistor driving n Resistive memory cell), благодаря которой один транзистор может управлять большим количеством ячеек памяти (более 2000). Это позволяет добиться очень высокой плотности хранения информации.

Но у методики 1TnR есть и обратная сторона. Из-за паразитных токов ухудшаются показатели производительности и надёжности хранения данных. Решить проблему удалось путём использования запатентованного сверхлинейного устройства выбора порога. Этот селектор позволяет подавлять токи утечки величиной менее 0,1 нА. Предложенное решение уже подтвердило свою эффективность в составе микрочипа RRAM ёмкостью 4 Мбит.
Пруфлинк: http://www.3dnews.ru/906865/?feed