Ионно-стимулированное осаждение логотипа Pikabu методом фокусированных ионных пучков (ФИП). Материал осаждения - вольфрам (W).
Ионно-лучевое травления логотипа Pikabu методом ФИП. Размер каждой буквы менее 500 нм!
И я могу осадить слой W - 5-10 нм, не проблема.
Проблема в том, что будет не качественно видно рельефный рисунок.
газ W(CO)6 подается через газово-инжекционную систему на локальный участок поверхности, адсорбируется на ней. После воздействия ФИП, который фокусирует ионы галлия в пятно от 5 нм (в зависимости от тока), эти молекулы газа разлагаются на W и летучее соединение, которое удаляется вакуумной системной, а W осаждается на поверхности слой за слоем.
Как смог по проще, так и объяснил)
На первой фотке осажденное соединение W(CO)6, а на второй - результат воздействия ФИП, я правильно понял? Ещё вопрос: почему логотип не выступает над поверхностью материала на 2 фотке?
Там не совсем W(CO)6. Там W, C, Si, Ga (источник ионов). Но W там 50% примерно, при осаждении электронным пучком там 80% W примерно.
На второй фотку логотип не выступает, потому что там вытравлено локально. На первой же фотке - осаждение.
Просто великолепно! Сам, правда, работал на установке по ионной имплантации. Жаль не додумался фотографий сделать...
ФИП из себя представляет электромагнит масс-сепаратор?)
А с помощью чего смотрели на результат? (наверное РЭМ)
@VeMoN, а что за машина? Не FEI-производства случаем? Очень похоже, правда про Nova не слышал у них. Сам работал на Helios 660, тоже ионный источник и электронная пушка в одном.
