В прошлой части остановились по сборке проекта, в этой части программный код.

И так у нас готовый проект, согласованный с CubeMX

переходим в файл main.c (данный файл сформирован под настройки первой части, это надо для согласования CubeMX и IAR)

находим область в main.c

/* USER CODE BEGIN PV */

"(здесь код пользователя)"

/* USER CODE END PV */

копируем код (ctrl-c):

NAND_IDTypeDef g_nand_id;

volatile HAL_StatusTypeDef g_erase_status = HAL_ERROR;

volatile HAL_StatusTypeDef g_read_status = HAL_ERROR;

volatile HAL_StatusTypeDef g_write_status = HAL_ERROR;

NAND_AddressTypeDef g_erase_addr;

uint8_t g_write_buf[2048];

uint8_t g_read_buf[2048];

/* Адреса областей FMC NAND Bank3 */

const uint32_t g_data_area = 0x80000000u;

const uint32_t g_cmd_area = 0x80000000u | 0x00010000u; /* 0x80010000 */

const uint32_t g_addr_area = 0x80000000u | 0x00020000u; /* 0x80020000 */

вставляем копированный код (ctrl-v) в область

/* USER CODE BEGIN PV */

>>> ctrl-v <<<

/* USER CODE END PV */

ниже в файле main.c находим

/* USER CODE BEGIN 0 */

"(здесь код пользователя)"

/* USER CODE END 0 */

копируем код (ctrl-c):

/* Ожидание готовности NAND по линии R/B# (PB13). */

static HAL_StatusTypeDef NAND_WaitReady(uint32_t timeout_ms)

{

uint32_t start = HAL_GetTick();

while (HAL_GPIO_ReadPin(GPIOB, GPIO_PIN_13) == GPIO_PIN_RESET)

{

if ((HAL_GetTick() - start) > timeout_ms)

{

return HAL_TIMEOUT;

}

}

return HAL_OK;

}

/* Чтение байта статуса NAND (команда 0x70) */

static uint8_t NAND_ReadStatusByte(void)

{

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x70;

return *(volatile uint8_t *)g_data_area;

}

вставляем копированный код (ctrl-v) в область

/* USER CODE BEGIN 0 */

>>> ctrl-v <<<

/* USER CODE END 0 */

ниже в файле main.c находим

/* USER CODE BEGIN 2 */

"(здесь код пользователя)"

/* USER CODE END 2 */

копируем код (ctrl-c):

/* ================= SDRAM INITIALIZATION SEQUENCE ================= */

FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;

uint32_t tmpmrd = 0;

Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;

Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1_2;

Command.AutoRefreshNumber = 1;

Command.ModeRegisterDefinition = 0;

(void)HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0xFFFF);

HAL_Delay(1);

Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;

Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;

Command.AutoRefreshNumber = 1;

(void)HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0xFFFF);

Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;

Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;

Command.AutoRefreshNumber = 8;

(void)HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0xFFFF);

tmpmrd = (uint32_t)(0u << 0) | (uint32_t)(0u << 3) |

(uint32_t)(3u << 4) | (uint32_t)(1u << 9);

Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;

Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;

Command.AutoRefreshNumber = 1;

Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;

(void)HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, 0xFFFF);

(void)HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, 1385);

HAL_Delay(10);

/* ================= SDRAM TEST ================= */

{

volatile uint16_t *sdram_ptr = (volatile uint16_t *)0xD0000000u;

*sdram_ptr = 0xAA55u;

volatile uint16_t sdram_rd = *sdram_ptr;

(void)sdram_rd;

}

/* ================= NAND: инициализация адреса ================= */

g_erase_addr.Plane = 0;

g_erase_addr.Block = 0;

g_erase_addr.Page = 0;

for (int i = 0; i < 2048; i++)

{

g_write_buf[i] = (uint8_t)(i & 0xFF);

}

/* ================= NAND TEST ================= */

HAL_NAND_Reset(&hnand1);

HAL_Delay(10);

HAL_StatusTypeDef nand_status = HAL_NAND_Read_ID(&hnand1, &g_nand_id);

if (nand_status == HAL_OK)

{

volatile uint32_t maker = g_nand_id.Maker_Id;

volatile uint32_t device = g_nand_id.Device_Id;

volatile uint32_t third = g_nand_id.Third_Id;

volatile uint32_t fourth = g_nand_id.Fourth_Id;

(void)maker; (void)device; (void)third; (void)fourth;

}

else

{

volatile uint32_t err = 1;

(void)err;

}

/* ================= NAND: стирание блока 0 ================= */

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x60;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = (uint8_t)((g_erase_addr.Block >> 8) & 0xFF);

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = (uint8_t)( g_erase_addr.Block & 0xFF);

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0xD0;

/* tWB: NAND должен успеть «дёрнуть» R/B# вниз */

for (volatile int d = 0; d < 1000; d++);

HAL_StatusTypeDef erase_wait = NAND_WaitReady(100);

if (erase_wait != HAL_OK)

{

g_erase_status = HAL_TIMEOUT;

}

else

{

uint8_t st = NAND_ReadStatusByte();

g_erase_status = ((st & 0x01u) == 0u) ? HAL_OK : HAL_ERROR;

}

/* ================= NAND: запись страницы 0 блока 0 ================= */

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x80;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

for (int i = 0; i < 2048; i++)

{

*(volatile uint8_t *)g_data_area = g_write_buf[i];

}

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x10;

for (volatile int d = 0; d < 1000; d++);

HAL_StatusTypeDef prog_wait = NAND_WaitReady(50);

if (prog_wait != HAL_OK)

{

g_write_status = HAL_TIMEOUT;

}

else

{

uint8_t st = NAND_ReadStatusByte();

g_write_status = ((st & 0x01u) == 0u) ? HAL_OK : HAL_ERROR;

}

/* ================= NAND: чтение страницы 0 блока 0 ================= */

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_addr_area = 0x00;

*(volatile uint8_t *)g_cmd_area = 0x30;

/* tWB: критически важно, иначе NAND не успеет перевести R/B# в низкий уровень */

for (volatile int d = 0; d < 5000; d++);

/* tR: по даташиту W29N01HV максимум 25 мкс, 1 мс с большим запасом */

HAL_Delay(1);

/* Чтение данных: никакой команды 0x70 здесь быть не должно */

for (int i = 0; i < 2048; i++)

{

g_read_buf[i] = *(volatile uint8_t *)g_data_area;

}

/* Сравнение: только по содержимому, без статусного байта */

uint32_t mismatch = 0;

for (int i = 0; i < 2048; i++)

{

if (g_read_buf[i] != g_write_buf[i])

{

mismatch++;

}

}

g_read_status = (mismatch == 0) ? HAL_OK : HAL_ERROR;

вставляем копированный код (ctrl-v) в область

/* USER CODE BEGIN 2 */

>>> ctrl-v <<<

/* USER CODE END 2 */

Далее собираем проект

В следующей части, запуск и тестирование, что в итоге получилось.

Задача: запустить по минималке.

Дано: stm32f429igt6 noname board, на борту есть SDRAM память W9825G6KH-6 = 256 Мбит, NAND Flash W29N01HVSINA = 1 Гбит, программатор ST-LINK/V2 (disco), схемы наверное есть (лично я не нашел и особо не искал)

Покупал в маркетплейсе, не дорого.

ПО для работы:

• Stm32 CubeMX (6.10.0 и выше)

• локальная библиотека под камни F4 (CubeMX)

• IAR (9.30.1)

Измерительные приборы:

• Мультиметр

• Шнур USB<>Type-C

Начнём:

Запускаем CubeMX

File->New Project ... (Ctrl+n) (Создание нового проекта)

Почему именно локальные библиотеки?!, ответ: доступ закрыт...

Если всё получилось правильно, после генерации кода, находим собственную папку с проектом, запускаем проект IAR, находим main.c

собираем проект, должно получится без ошибок, далее обязательные шаги надстройки IAR

вот тут надстройка не обязательна, просто бывает глючит JTAG,поменял на SWD

конец первой части.