Япония и США создадут новый тип оперативной памяти (Фото прилагается)

Несколько компаний Японии и Соединенных Штатов занимаются софинансированием одного общего проекта. Он направлен на создание в приемлемом для рынка масштабе производства по выпуску принципиально нового решения оперативной памяти для вычислительной техники. У новой "оперативки" будет катастрофически низкий уровень потребления энергии, а также миниатюрные размеры, что позволит использовать ее при создании планшетных компьютеров и смартфонов.

Всего в проекте принимают участие два десятка компаний. Здесь и Hitachi, и Shin-Etsu Chemicals, и Micron Technology, и даже Tokyo Electron. Все эти они нацелены на одно - замену динамической памяти с произвольным доступом на магниторезистивную память с аналогичным доступом. В скором времени MRAM сменит DRAM.

Такая память известна ученым еще с конца прошлого века. Ее особенность в том, что информация хранится магнитными моментами, а не традиционными электрическими зарядами.

Новое решение позволит на порядок ускорить режим работы, а также в десятки раз увеличит объем хранимой информации. Интересно то, что при таком раскладе энергопотребление значительно снижается – как минимум втрое.

Сегодня основная проблема заключается в том, чтобы наладить рентабельное производство такого типа памяти в мировом масштабе. Команда из 20 компаний обещает дать ответ ближе к 2018 году. Тогда же и планируется начать выпуск новой "оперативки".

Но стоит отметить, что уже сейчас есть компания, которая делает MRAM-платы памяти. Поставки только начались. Если реальная продукция этой фирмы окажется рентабельной, то в скором времени у нас будет новый лидер на рынке оперативных обработчиков данных.