Намечается прорыв в микроэлектронике⁠⁠

https://arxiv.org/abs/2202.13831

Вот вам статья на ознакомление, от 22 года, когда работать с этим материалом могли только при сверхнизких температурах. Скорость переключения между состояниями у него примерно в тысячу раз быстрее чем у современных процессоров, которые так-то уже упираются в свой потолок.

Сейчас топовые технологии это 2нм и в 27 планируются первые чипы по 1,4нм. А что дальше?

Атом кремния имеет диаметр ~0.2 нм, а межатомное расстояние в кристаллической решётке кремния составляет ~0.54 нм. Таким образом, транзистор с длиной затвора <1 нм будет включать всего несколько атомов, что делает его крайне чувствительным к квантовым эффектам. А значит мы в плотную подошли к пределу миниатюризации, который кстати требует нифигенной такой точности в вопросе создания.

И тут без вариантов, или мы меняем логику, переходя с двоичной на троичную, есть такие предпосылки, под которую надо адаптировать все системы с нуля. Или ищем новые материалы, с большим быстродействием.

Ну едва ли брехня, все же опубликовали не абы где. Что до 3D процессоров, то возможно мы видим их будущий материал. А если ещё и логику взять троичную вместо двоичной...

Речь о том, что мы не можем уменьшать плотность и дальше, упираясь в предел, когда расстояние между транзисторами на столько мало, что они наводят помехи друг на друга и экранировать их не выйдет. Потому что ещё немного и толщина луча, которая и определяет техпроцесс, приблизится к толщине структуры.

Ты внимательно читал? Температуру работоспособности подняли на 110°С. -63 это уже далеко не так критично, при тысячекратном приросте мощности.

И даже в превью говорится, что это не предел, а только достигнутые на текущий момент результат.

Толщина слоя 0,6нм, что позволяет применить субнанометровый техпроцесс.

Теперь о релаксации

В современных кремниевых транзисторах (например, в 2-нм техпроцессе, используемом TSMC или Intel в 2025 году) релаксация заряда происходит в диапазоне субнаносекунд до наносекунд (~100–300 пс, или 10⁻¹⁰–10⁻⁹ с).

Подвижностью носителей: В кремнии подвижность электронов и дырок ограничивает скорость перераспределения заряда.

Для сравнения, тактовая частота процессоров (3–5 ГГц) соответствует времени цикла ~200–333 пс, что делает релаксацию заряда значимым фактором для высокоскоростных операций.

Релаксация заряда в новых чипах будет в разы меньше, что и позволит появиться разнице в скорости в тысячу раз.

Что считается оптическим ЭВМ? Существующие квантовые чипы в разы шустрее любого кремниевого чипа.

Дешевле было проводить миниатюризацию, поскольку процесс известен и распробован. Но мы дошли до потолка, когда атомарная структура кремния скажет "СТОП, ребят, я уже всё".

На данный момент план рвется техпроцесс 1.4нм в 2027 году, техпроцесс 1нм теоретически достижим, но он же потолок. Дальше либо увеличивать размер чипа, что повысит выход брака и цену, либо искать обходные пути.

Будут ли это чипы на троичной логике, как те что запатентовал Хуавэй, оптика или принципиально иные материалы, как тот, что представлен тут.

Главное чего добились за 3 года, это подняли температуру стабильного состояния от -173°С, что физически и экономически сложно реализуемо, до -63. Что тоже не просто, но заметно легче капитального криогена. И есть понимание, как можно ещё поднять рабочую температуру, что создаёт дополнительную надежду на успех.

Они не изобретают новые элементы, потому как дорого, а используют уже существующие, но хитро вывернутые и комбинированные.

Huawei подала заявку на патент по троичной логике в сентябре 2023 года, которая была опубликована в марте 2025 года Китайским национальным управлением интеллектуальной собственности (CNIPA, патент CN119652311A).

Вот статья, её аналогов много https://www.ixbt.com/live/sw/huawei-poluchila-patent-na-troi...

О том как наш разработчик жалуется, что Хуавей спёрли идею у них. Правда старательно замалчивает, что сами они где-то откопали и стряхнули пыль с советских наработок примерно 60х годов.

Не реалистично. А киборгов Маск раньше настрогает