Модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ от Samsung

Samsung Electronics объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ, выполненного по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Новая память более чем вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом меньше энергии.

Модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ от Samsung Samsung, Оперативная память, Технологии

High-K Metal Gate (HKMG) представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Эта технология с 2018 года используется для производства чипов GDDR6.

Благодаря использованию технологии межкремниевых соединений (TSV) память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый, что обеспечивает максимальную ёмкость в 512 ГБ. По заверению компании, скорость передачи данных новой памяти достигает 7200 Мбит/с — вдвое больше в сравнении с DDR4. Кроме того, она потребляет на 13% меньше энергии.

Модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ от Samsung Samsung, Оперативная память, Технологии

Новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Сейчас Samsung тестирует новые модули вместе с разными клиентами.

4pda

Лига Новых Технологий

1.5K постов16.4K подписчиков

Правила сообщества

Главное правило, это вести себя как цивилизованный человек!

Но теперь есть еще дополнительные правила!
1. Нельзя раскручивать свой сайт, любую другую соц сеть или мессенджер, указывая их как источник. Если данная разработка принадлежит вам, тогда можно.
2. Нельзя изменять заглавие или текст поста, как указано в источнике, таким образом чтобы разжигать конфликт.

3. Постите, пожалуйста, полный текст с источника, а не превью и ссылка.