Samsung представила первые микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса⁠⁠

Компания Samsung Electronics представила первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса (от 10 до 19 нм) и состоящие из четырех чипов плотностью 16 Гбит. На сегодняшний день это наибольшая плотность памяти для мобильных устройств.

Южнокорейский производитель рассчитывает, что разработка существенно улучшит опыт работы с мобильными устройствами, особенно с теми моделями, где установлены большие экраны с ультравысоким разрешением Ultra HD.

«Появление нашего мобильного решения DRAM рекордного объема в 8 ГБ является предзнаменованием выпуска еще более функциональных флагманских мобильных устройств следующего поколения, — отметил Джу Сун Чой, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung Electronics. — Мы намерены и дальше выпускать передовые микросхемы памяти, сочетающее высшее качество и передовые возможности, ля удовлетворения растущего спроса на устройства со сдвоенными камерами, экранами разрешением 4K Ultra HD и поддержкой технологий виртуальной реальности».

Новые микросхемы не только емкие, но и быстрые. Они обеспечивают скорость передачи данных 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что вдвое выше показателя памяти DDR4-2133 для ПК. С учетом того, что ширина шины равна 64 разрядам, получается пропускная способность более 34 ГБ/с.

Использование технологии 10-нанометрового класса и проприетарной маломощной конструкции позволило сделать новые микросхемы чрезвычайно энергоэффективными. Предлагая вдвое больше объема они потребляют ровно столько же энергии, как микросхемы объемом 4 ГБ, изготавливаемые по технологии 20-нанометрового класса.

При размерах 15х15х1 мм новые микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ удовлетворяют требованиям к площади, выдвигаемых производителями большинства новых ультратонких мобильных устройств. Благодаря рекордной толщине в 1 мм новые микросхемы могут объединятся вместе с микросхемами памяти UFS и мобильным процессором в одном корпусе, высвобождая дополнительное пространство на печатной плате устройства.

В перспективе компания планирует быстро нарастить объемы производства микросхем DRAM, выпускаемых по технологии 10-нанометрового класса.