Помогите пожалуйста, сделать задание на Microsoft assembler вручную для проверки 13 вариант
Ps: я понял вас комменты писать ребятки вы умеете, а вот по делу помочь увы
Ps: я понял вас комменты писать ребятки вы умеете, а вот по делу помочь увы
Их есть у нас! Красивая карта, целых три уровня и много жителей, которых надо осчастливить быстрым интернетом. Для этого придется немножко подумать, но оно того стоит: ведь тем, кто дойдет до конца, выдадим красивую награду в профиль!
Производство самой передовой электроники с топологическими нормами меньше 5 нм сегодня возможно только на оборудовании голландской компании «ASML».
"ASML" - единственная в мире компания, владеющая системами и технологиями, которые способны давать излучение с длиной волны в 13,5 нм (EUV), пригодное для фотолитографии.
EUV-литография в настоящее время является полностью уникальной технологией. Другие компании также производят системы для литографии, но именно "ASML" лидирует в полупроводниковой индустрии.
TWINSCAN NXE: 3600D - это система литографии последнего поколения, поддерживающая объёмное производство топологических элементов 5 и 3 нм.
Разработка нового литографического оборудования на основе технологии сверхжёсткого ультрафиолетового излучения началась в 1994 году. За 17 лет "ASML" инвестировала более 6 миллиардов евро в исследования и разработку EUV.
В августе 2006 года первый в мире демонстрационный инструмент для EUV-литографии был отправлен в колледж наноразмерных наук и инженерии в Олбани (США) и в IMEC в Левене (Бельгия).
В 2010 году была представлена первая в мире предсерийная система EUV - "TWINSCAN NXE: 3100".
В 2013 году начались первые серийные поставки "TWINSCAN NXE: 3300".
Как только стало окончательно понятно, что новая литографическая технология станет самой совершенной и недосягаемой ни для кого более в мире, в компанию стали инвестировать миллиарды долларов такие крупные производители, как Intel, Samsung и TSMC.
На сегодня больше нет каких-либо серьёзных разработок аналогов технологии EUV, которые могли бы в будущем конкурировать с продуктами компании "ASML".
Литографическое оборудование – это самый важный элемент в создании передовых топологических норм, и без него дальнейшее развитие микроэлектроники невозможно.
Приобрести данные машины можно только с разрешения правительства Нидерландов, которые, в свою очередь, учитывают позицию США. Так, в Россию даже до введения санкций поставка передовых литографов была негласно запрещена, а с 2014 года вообще стала невозможной..
Под давлением США с 2019 года была запрещена продажа передового литографического оборудования Китаю.
По сути, EUV-системы могут закупать только избранные страны и компании, коими являются лидеры отрасли микроэлектроники - Intel, Samsung и TSMC.
К чему всё это? От начала разработок до серийной системы прошло 19 лет, и были потрачены миллиарды долларов инвестиций.
Недавно стала известна новость, что в России разрабатывают аналог технологии EUV - отечественный литограф с длиной волны менее 13,5 нм.
EUV означает ‘экстремальный ультрафиолет’. Это относится к длине волны света. Свет глубокого ультрафиолетового излучения (DUV), используемый в производстве чипов, имеет длину волны 248 и 193 нм, тогда как свет, используемый в EUV-литографии, имеет длину волны 13,5 нм (фиолетовая линия в УФ диапазоне).
Заявлено, что уже создан рабочий образец-демонстратор, способный формировать наноструктуры до 7 нм.
Промышленный образец отечественного литографа на 7 нм планируется создать через шесть лет.
На первом этапе, в 2024 году, будет создана «альфа-машина». Такая установка станет рабочим прототипом, на котором будут отрабатывать полный цикл операций.На втором этапе, с 2026 года, появится «бета-машина». Это будет уже полностью рабочий образец, который будут доводить до промышленного производства и автоматизации всех процессов.
И на третьем этапе, к 2028 году, отечественный литограф получит более мощный источник излучения, а также улучшенные системы позиционирования и подачи, и начнёт полноценную работу.
Как-то странно всё это звучит, особенно в условиях тотального санкционного давления в сфере микроэлектроники и запрета на поставки любого подобного оборудования.
Компании "ASML" для разработки фотолитографов нового поколения понадобилось 19 лет с полной свободой действий и с привлечением инвестиций в десятки миллиардов долларов. А в России желают пройти тот же путь всего за 6 лет и без десятков миллиардов долларов инвестиций?
Этой новостью стали восторгаться многие интернет-издания и профильные ресурсы. Однако каких-либо подробностей представлено не было, что вызвало здоровый скептицизм у некоторых блогеров и различных критиков любых российских технологий.
Вот я и решил разобраться: взброс ли это был, или всё же есть реальные перспективы.В Институте прикладной физики Российской Академии Наук (ИПФ РАН) в Нижнем Новгороде ведётся разработка литографической установки. В 2011 году был построен образец-демонстратор литографа с рабочей длиной волны 13,5 нм. Это был испытательный стенд в рамках проводимых фундаментальных научных исследований.
Действительно, в 2011 году был создан реально работающий образец.
Технология подтвердила свою работоспособность, что ознаменовало появление в России ключевых технологий, позволяющих разрабатывать и производить литографическое оборудование для диапазона длин волн в окрестности 13,5 нм.
Самое интересное тут то, что подобная длина волны является более подходящей для топологии 14 нм и менее, а использовать такие литографы на больших топологиях – 28 более нм – нецелесообразно из-за сложности и дороговизны оборудования.
То есть тут сразу идёт задел на минимальные размеры – до 1-2 нм.
Стендовый образец явно усовершенствовался, и главным новшеством является получение экстремального ультрафиолетового излучения, что добавляет больше сложностей по сравнению с традиционным ультрафиолетовым диапазоном. Тут требуется совершенная оптика, а сам источник излучения не должен загрязнять зону, где идут рабочие процессы.
Для генерации экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) в установках компании "ASML" используется CO2-лазер, который излучает два отдельных лазерных импульса на быстро движущуюся каплю олова. Это испаряет олово, превращая его в плазму, которая и создаёт свет диапазона EUV. Подобная операция совершается до 50 000 раз в секунду. Затем несколько многослойных зеркал собирают этот свет и перенаправляют его на пластину, уменьшая рисунок в четыре раза. Совершенствуя системы проекционной оптики, удаётся получать всё более совершенную топологию: разрешение было повышено с 7 нм до 3. Идёт разработка новой проекционной оптики для EUV-системы, способной получать топологию в 2 нм.
При этом все эти проблемы нужно было решить уже на этапе создания демонстратора.Но может ли российский институт решить задачи, которые потребовали от нидерландской компании много времени, денег, а также сотрудничества с самыми передовыми компаниями и институтами США в области микроэлектроники?
Если отвечать с наскока, то НЕТ. И больше никто в мире пока не пытается достигнуть схожих результатов, понимая, какие усилия понадобятся для разработки своих аналогов этой системы.
Однако есть только одно условие, при котором это возможно – самые передовые фундаментальные исследования в нужных областях.
Ну, и что там у нас в этом направлении?
Институт прикладной физики Российской Академии Наук для многих, на удивление, является лидером по многим фундаментальным исследованиям, в том числе и в области лазерных и оптических технологий.
ИПФ РАН. Лазерный комплекс "PEARL".
Например, уникальная научная установка "PEARL" (PEtawatt pARametric Laser) была первым в мире лазерным комплексом петаваттного уровня мощности, основанном на параметрическом усилении фемтосекундных импульсов.
В настоящее время на основе полученного при создании системы "PEARL" опыта в ИПФ РАН строится лазерный комплекс "PEARL-10" мощностью более 5 ПВт. Разработана концепция экзаваттного лазерного комплекса – проект XCELS, включённый в число шести российских проектов класса мегасайенс (крупные дорогостоящие международные научные и исследовательские комплексы), для реализации на территории страны в предстоящее десятилетие.
Появление таких источников открывает новые горизонты для фундаментальных исследований и уникальных технологий.
В 2018 году учёными ИФМ РАН была опубликована работа, в которой были представлены экспериментальные данные по лазерно-плазменному источнику рентгеновского излучения на основе ксенона.
Научная работа учёных и специалистов ИФМ РАН, рецензируемая и опубликованная на научном американском ресурсе.
В 2018 году учёными ИФМ РАН была опубликована работа, в которой были представлены экспериментальные данные по лазерно-плазменному источнику рентгеновского излучения на основе ксенона.
В работе были наглядно продемонстрированы результаты, полученные нашими учеными в достижении инновационного метода нанолитографии – безмасочной рентгеновской литографии на длине волны 6,7 нм.
Судя по публикации, были обнаружены два устойчивых режима работы источника.
Вместо расплавленного оловянного источника, применяемого в проекционной литографии компанией "ASML", в российской разработке применяется мишень на основе ксенона. При сравнимой эффективности это существенно упрощает конструкцию источника и лазерную систему, минимизирует загрязнение оптических элементов, уменьшает рабочую длину волны на 20% при работе на длине волны 10,8 нм, и в 2 раза – на длине волны 6,7 нм.
Разумеется, уменьшение длины волны пропорционально повышает разрешающую способность литографа.
В общем, учёные из США сошлись во мнении, что литограф на основе российской разработки будет в 1,5-2 раза эффективнее, чем у компании "ASML".
В арсенале института имеются рентгеновские зеркала, которые успешно там выпускают, лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения и сам прототип установки, на которой уже получены первые структуры размером в 7 нм.
Вот этот самый лазерно-плазменный источник рентгеновского излучения в ИФМ РАН.
То есть рентгеновская литография становится реальностью. Если удастся всё воплотить в срок, то появится первая в мире рентгеновская фотолитографическая установка, работающая в диапазонах волн 10,8 и 6,7 нм с разрешающей способностью до 1 нм.
Демонстрационный стенд уже сегодня имеет длину волны 11,3 нм, что превосходит показатели компании "ASML". Обратите внимание, что используется оптический элемент, способный фокусировать рентгеновские лучи, а не отражать их, как это сделано в установках компании "ASML". Рентгеновская оптика была разработана совместными усилиями института и корпорации "Росатом".
Фрагмент рентгеновской линзы.
Схема той самой демонстрационной установки, на которой были получены 7 нм структуры, с длинной волны 11,3-10,8 нм. И это было ещё в 2018 году.
Но это только один из путей развития российской технологии фотолитографии. Есть ещё одно направление безмасочной EUV-фотолитографии, а именно использование синхротронного излучения в качестве основного источника в литографическом оборудовании.
И в России в марте 2022 года по заказу Минпромторга преступили к разработке концепции безмасочного рентген-фотолитографа с длиной волны менее 13,5 нм на базе синхротронного источника. На эти работы было выделено 670 миллионов рублей.
Синхротронное излучение создаётся в синхротронах - накопительных кольцах ускорителей - при движении заряженных частиц.
В работу включены МИЭТ, зеленоградская компания ЭСТО и зеленоградский синхротрон — ныне технологический накопительный комплекс (ТНК) «Зеленоград» НИЦ «Курчатовский институт».
Упрощённая схема литографа на базе синхротронного излучения.Фотолитография на базе синхротронного излучения должна появиться через 5-10 лет.Примечательно, что синхротронное излучение является следующим этапом развития технологии фотолитографии, благодаря которой можно достигать топологии транзисторов меньше 1 нм. Вот только к фабрике должен быть пристроен ускоритель частиц.
Так как на синхротроне можно достичь устойчивого излучения ещё меньшей длинный волны в рентгеновском диапазоне, то технология будет являться конечной эволюцией в литографическом оборудовании, где производимые наноструктуры будут подведены к теоретическому пределу (менее 1 нм), когда дальнейшее уменьшение будет невозможно.
Дальнейшая технология будет развиваться по пути «слоёного пирога» - транзисторы можно будет расположить только один над другим.А это уже совершенно иной уровень, представляющий собой атомно-микроэлектронную отрасль.
Хотя, чему удивляться, "Росатом" уже занялся разработкой квантовых компьютеров и создал новый дивизион по электронике, куда вошли «АСУТП и электротехника» и АО «Русатом Микроэлектроника».
Сегодня больше 50% всей электроники в мире (в том числе - автомобильной, космической и индустриальной) производится по нормам 360-180-65 нм.
По этим нормам в России создаются собственные литографы, благодаря чему закрывается весь спрос в электронике.
Более подробно об этом написано в статье, в том числе про то, что топология "3 нм" - это просто коммерческое название и данная технология не предполагает само уменьшение геометрии транзистора:
И традиционно от жителя Зеленограда, кем я являюсь, фото первой в России строящейся фабрики для выпуска процессоров по технологии 28 нм и меньше.
Работы идут без остановки.
Уже добрались до кровли. Стройка явно идёт с опережением сроков, так как сдача объекта была запланирована на конец 2024 года.
Злые языки говорили, что стройку законсервируют после введения санкций. Но, как видите, она только ускорилась.
А через дорогу от строящейся фабрики возводится общежитие гостиничного типа (1 класса) для проживания высококвалифицированного персонала, который будет работать на фабрике.
В заключении можно сказать следующее: в России будут свои литографы, будет своя фабрика и будут свои процессоры. Иначе не будет России...
Постскриптум.
США ранее ввели санкции против ведущих научных институтов России, в том числе против ИФМ РАН.
автор Кочетов Алексей. https://dzen.ru/dbk
Тайваньская компания TSMC, производящая чипы для электроники Intel и Nvidia и бытовой техники, в рамках защиты от возможной китайской агрессии заминирует всю свою продукцию.
По словам официального представителя фирмы, «мнимая политика единого Китая – всего лишь попытка лидеров компартии и китайского бизнеса перехватить контроль над мировым производством чипов».
«Отныне вся продукция будет производиться таким образом, что в случае нападения КНР мы удалённо взорвём её по всему миру, в том числе в самом Китае», – пригрозил он.
Эксперты отмечают, что суммарная разрушительная мощь взрывов превысит мощь бомб, сброшенных на Хиросиму и Нагасаки. Впрочем, от удалённого управления электроникой можно защититься: достаточно всего лишь обернуть её в слой фольги толщиной не менее 15 миллиметров.
30-40 лет назад, когда персональные компьютеры были ещё в новинку, а интернета как такового не было, пионеры вычислительной технологии предсказывали, что в будущем электронные чипы станут настолько дешёвыми, что они будут повсюду — в домах, в транспорте, даже в человеческом теле. Для того времени эта идея казалась фантастической, даже абсурдной. ПК тогда были очень дороги и в большинстве своём даже не подключались к интернету. Мысль о том, что миллиарды крохотных чипов когда-нибудь станут дешевле семечек, казалось нелепой.
Десятилетиями технари обещают мир, где абсолютно каждый объект, с которым мы будем сталкиваться — мебель, посуда, одежда — будет обладать «умом» благодаря сверхдешёвым программируемым процессорам. Если вам интересно, почему этого до сих пор не произошло, то это потому, что никто не построил работающие процессоры, которые можно было бы производить миллиардами стоимостью в 1 цент каждый.
Со временем абсолютно всё вокруг нас станет «умным». Производители, не сделавшие свою продукцию «умной», в какой-то момент будут вытеснены с рынка конкурентами, которые успели это сделать. Одним из путей добиться таких дешёвых микропроцессоров, являются микрочипы из пластика.
Почти 50 лет назад Intel создала первый в мире серийно выпускаемый микропроцессор — 4004, скромный 4-битный ЦП с 2300 транзисторами, изготовленными по технологии 10 мкм из кремния и способным выполнять только простые арифметические операции. С момента этого новаторского достижения происходило непрерывное технологическое развитие с возрастающей сложностью до такой степени, что современные кремниевые 64-разрядные микропроцессоры теперь имеют 30 миллиардов транзисторов (например, микропроцессор AWS Graviton2, изготовленный по техпроцессу 7 нм). Микропроцессоры настолько укоренились в нашей жизни, что стали метаизобретением, то есть инструментом, позволяющим реализовать другие изобретения.
Микропроцессоры лежат в основе каждого электронного устройства, включая смартфоны, планшеты, ноутбуки, маршрутизаторы, серверы, автомобили и, в последнее время, интеллектуальные объекты, составляющие Интернет вещей. Хотя традиционная кремниевая технология включает в себя как минимум один микропроцессор, встроенный в каждое «умное» устройство на Земле, она сталкивается с ключевыми проблемами, чтобы сделать повседневные предметы умнее. Стоимость является наиболее важным фактором, препятствующим применению традиционной кремниевой технологии в этих повседневных предметах. Хотя экономия за счёт масштаба производства кремния помогла резко снизить себестоимость единицы продукции, себестоимость единицы микропроцессора по-прежнему непомерно высока. Кроме того, кремниевые чипы не являются естественно тонкими и гибкими, что является очень желательными характеристиками для встроенной электроники в эти предметы повседневного обихода.
С другой стороны, гибкая электроника предлагает эти желательные характеристики. За последние два десятилетия эта технология продвинулась вперед, предлагая недорогие, тонкие, гибкие и удобные устройства, включая датчики, память, батареи, светоизлучающие диоды, сборщики энергии и печатные схемы. Это основные компоненты для создания любого интеллектуального интегрированного электронного устройства. Недостающим элементом является гибкий микропроцессор. Основная причина, по которой до сих пор не существует жизнеспособного гибкого микропроцессора, заключается в том, что относительно большое количество тонкоплёночных транзисторов (TFT) необходимо интегрировать на гибкой подложке для выполнения каких-либо значимых вычислений.
Микропроцессор PlasticARM
Например, в 2021 году компания Arm воспроизвела свой простейший 32-битный микроконтроллер M0 из пластика, но даже это не могло соответствовать требованиям. Проблема, по мнению инженеров Иллинойсского университета Урбана-Шампейн и британского производителя гибкой электроники PragmatIC Semiconductor, заключается в том, что даже самые простые микроконтроллеры промышленного стандарта слишком сложны, чтобы изготавливать их из пластика массово.
В отличие от обычных полупроводниковых устройств, гибкие электронные устройства строятся на подложках, таких как бумага, пластик или металлическая фольга, и используют активные тонкоплёночные полупроводниковые материалы, такие как органические соединения, оксиды металлов или аморфный кремний. Они предлагают ряд преимуществ по сравнению с кристаллическим кремнием, включая низкие производственные затраты. Тонкоплёночные транзисторы (TFT) могут быть изготовлены на гибких подложках при гораздо меньших затратах на обработку, чем полевые транзисторы «металл-оксид-полупроводник» (MOSFET), изготовленные на кристаллических кремниевых пластинах. Цель технологии TFT не в том, чтобы заменить кремний. Поскольку обе технологии продолжают развиваться, вполне вероятно, что кремний сохранит преимущества с точки зрения производительности, плотности и энергоэффективности. А TFT позволят создавать электронные продукты с новыми форм-факторами и стоимостью, недостижимой для кремния, тем самым значительно расширяя диапазон потенциальных приложений.
Микропроцессоры с разрядностью 8-бит и 4-бит соответственно
Промежуточный подход заключается в интеграции микропроцессорных кристаллов на основе кремния в гибкие подложки, что также называется гибридной интеграцией, когда кремниевая пластина утончается, а кристаллы из пластины интегрируются в гибкую подложку. Хотя интеграция тонкого кремниевого кристалла предлагает краткосрочное решение, этот подход по-прежнему опирается на традиционные дорогостоящие производственные процессы. Следовательно, это не жизнеспособное долгосрочное решение, позволяющее производить миллиарды повседневных смарт-объектов, которые ожидаются в следующем десятилетии и далее.
В исследовании, которое будет представлено на Международном симпозиуме по компьютерной архитектуре ISCA 2022, трансатлантическая команда представляет простой, но полнофункциональный пластиковый процессор, который можно изготовить по цене менее 1 цента. Команда из Университета Иллинойса разработала 4-битные и 8-битные процессоры специально для того, чтобы минимизировать размер и максимизировать процент производимых рабочих интегральных схем. Чип 4-битной версии сработал, выдав 81 % производительности, и этого достаточно, чтобы преодолеть барьер в 1 цент.
Испытательная установка для пластикового микрочипа
Архитектура 4-битного пластикового микрочипа
Вместо того, чтобы адаптировать существующую архитектуру микроконтроллера для пластика, команда Иллинойса начала с нуля создавать конструкцию под названием Flexicore. Производительность падает очень быстро, если увеличивать количество проводящих каналов. Зная это, команда разработала конструкцию, способную свести к минимуму количество необходимых каналов. Помогло использование 4-битной и 8-битной логики вместо 16-битной или 32-битной. Как и разделение памяти, в которой хранятся инструкции, от памяти, в которой хранятся данные. Но команда также сократила количество и сложность инструкций, которые процессор способен выполнять.
Сравнение кремния и IGZO на примере дисплея телевизора
Почему не кремний?
Вам может быть интересно, почему кремниевые процессоры не могут выполнять работу сверхдешёвых гибких вычислений. По сравнению с пластиком кремний дорог и негибок, но если сделать чип достаточно маленьким, пластик мог бы и не понадобиться. Тем не менее, кремний не справляется с этой задачей по двум причинам: во-первых, хотя площадь схемы можно сделать сверхмалой, всё же нужно оставить сравнительно большое пространство по краям, чтобы чип можно было вырезать из пластины. В случае такого простого микроконтроллера, как Flexicore, вокруг края будет больше места, чем области, содержащей схемы. Более того, понадобится ещё больше места для размещения достаточного количества контактных площадок ввода-вывода, чтобы данные и питание могли попасть на чип. Внезапно получается большая площадь дорогостоящего пустого кремния, что увеличивает расходы выше критической отметки в 0,01 доллара США.
Команда ещё больше упростила, разработав процессор таким образом, чтобы он выполнял инструкцию за один такт вместо многоступенчатых конвейеров современных процессоров. Затем они разработали логику, реализующую эти инструкции путем повторного использования частей, что ещё больше уменьшило количество вентилей.
Всё это привело к созданию 4-битного FlexiCore площадью 5,6 квадратных миллиметра, состоящего всего из 2104 полупроводниковых устройств (примерно столько же, сколько транзисторов в Intel 4004 1971 года) по сравнению с примерно 56 340 устройствами для PlasticARM. Это на порядок меньше, чем у самых маленьких кремниевых микроконтроллеров с точки зрения количества вентилей. Команда также разработала 8-битную версию FlexiCore, но она пока не дала положительных результатов.
С PragmatIC Semiconductor команда из Иллинойса произвела пластины с пластиковым покрытием, заполненные 4-битными и 8-битными процессорами, протестировала их при различных напряжениях в нескольких программах. Эксперимент кажется простым, но он новаторский. Большинство исследовательских процессоров, созданных с использованием некремниевых технологий, дают настолько низкую производительность, что результаты сообщаются с одного или, в лучшем случае, нескольких работающих чипов. Это первая работа, в которой кто-либо получал данные с нескольких микросхем для любой некремниевой технологии.
Не удовлетворившись таким успехом, команда разработала инструмент проектирования для изучения архитектурных оптимизаций для различных приложений. Например, инструмент показал, что энергопотребление можно значительно снизить, если немного увеличить количество вентилей.
Индустрия чипов была ориентирована на показатели мощности и производительности и в некоторой степени надёжности. Сосредоточение внимания на стоимости позволяет создавать новые компьютерные архитектуры и нацеливаться на новые приложения. Это именно та инновация в дизайне, которая необходима для поддержки по-настоящему вездесущей электроники.
Оригинал
Подписывайтесь на наш блог, чтобы не пропустить новые интересные посты!
Здраствуйте, у меня идет эзамен. У меня просьба помочь, кому не сложно: 1. Организация памяти программ и памяти данных в МК 2. Регистр
состояния программы (PSW) ОМЕВМ 3. Система команд типового МП.
Здравствуйте. Я состою в команде разработчиков следующего поколения нейроимплантов-нейроинтерфейсов для периферической нервной системы (не для головного мозга). Для начала их планируется использовать для подключения к нервной системе протезов с быстрым и точным управлением каждым аналогом мышцы, и для передачи в нервы десятков тысяч сигналов всех чувств кроме «медленной боли». Проект не лженаучный, не попильный, и не планирующий затягиваться на десятилетия.
Нам для периодического сотрудничества (в основном дистанционные консультации) нужен кандидат или доктор наук, как-то связанный с микроэлектроникой. Желательно разбирающийся в проектировании аналоговых и цифровых микросхем. А совсем в идеале – как-то знакомый с техпроцессом 90 нм завода Микрон. Проживающий в любом регионе России.
Конечно, помощь будет оплачиваться.
Прошу писать мне на почту: Cyberaugmentica@mail.ru
Для всех просто интересующихся: показать пока ничего не могу, первый эксперимент ещё идёт. И рассказать что-то интересное тоже не могу, почти вся информация относится к коммерческой тайне. Когда будет что-то впечатляющее, и что можно показать – покажем.
Почему пишу сюда: ВУЗы сейчас не работают, многие люди в отпусках. Звонить бесполезно. К тому же мне кажется, что такие люди очень редко ищут новую работу, потому вакансию на сайтах объявлений не публикую. Думаю только в тематических сообществах можно найти способ связаться с такими людьми.